具有渗透孔隙之奈米多孔低介电常数薄膜

摘要

一种具有孔隙度包括至少部分由填入材料所封闭的孔隙之加强多孔介电材料。于一项应用中该材料包括矽氧烷，诸如八甲基环四矽氧烷(OMCTS)、四甲基环四矽氧烷(TMCTS)、或CH3(EtO2)SiCHCH2O(DEOMORS)，其系以烃诸如丙烯、乙烯、二甲基矽烷或二乙烯基二甲基矽烷渗透，以及随后置于固定化渗透的材料之条件下，用来增强及提升介电材料的强度及机械完好性。经由适当选择渗透条件，介电材料之孔隙度可于孔隙之颈区部分填补，来形成具有余隙之封闭的孔隙结构，其可降低整体材料之介电常数。于一项特定用途中，填入材料为环状化合物，其自交联及/或反应性键结至该介电材料孔隙度之壁面。