| 主权项 |
1.一种光掩模,包括透明基底,和形成于透明基底上的透明层图型,透明层图型对入射光造成180乘以奇数的相差,其中入射光的强度在透明层图型的边缘最小。2.如申请专利范围第1项的光掩模,其中以下关系成立:t=/2(n-1)其中t是透明层图型的厚度,是入射光的波长,n是折射率。3.如申请专利范围第1项的光掩模,其中下式成立:R-K1/NA其中R是光抗蚀图型之解析度的限制,K1是具有约0.35之値的常数,是入射光的波长,NA是光学透镜的数値孔径。4.一种光掩模,包括透明基底,形成于透明基底上的透明层图型,以及申透明层来遮光的区域,其中遮蔽区由间距在光解析度限制之下的图型所形成。5.如申请专利范围第4项的光掩模,其中下式成立:R=K1/KA其中R是光抗蚀图型之解析度的限制,K1是常数,是入射光的波长,NA是光学透镜的数値孔径。6.如申请专利范围第4项的光掩模,其中遮蔽区占有不超过10%的光强度。7.如申请专利范围第4项的光掩模,其中以1.0m至4.0m之范围的间距来重复图型。8.如申请专利范围第1项的光掩模,其中图型包括矩阵排列。9.如申请专利范围第1项的光掩模,其中图型对入射光造成相差,以形成单一抗蚀图型。10.如申请专利范围第1项的光掩模,其中透明层图型包括在截面中倾斜的部分周边,该倾斜为一步步变薄或连续变薄。11.如申请专利范围第1项的光掩模,其中透明层图型包括间距在解析度限制之下之突起的重覆。12.如申请专利范围第1项的光掩模,其中透明层含有形成于透明基底上的矽基抗蚀图型,抗蚀图型含有矽氧烷聚合物,并对入射光造成180乘以奇数的相差。13.如申请专利范围第1项的光掩模,其中其中由投影光学系统形成间距小于解析度限制的图型,平行于在该透明层图型上之该透明层图型的一个周边。14.一种形成光掩横的方法,该方法包括以下步骤:在透明基底上形成抗蚀图型,将充分厚度的透明层沈淀于透明基底上以对入射光造成180乘以奇数的相差,由除去抗蚀图型来除去透明层以使透明图型保留在基底上。15.一种形成光掩模的方法,该方法包括以下步骤:将充分厚度的透明层沈淀于透明基底上以对入射光造成180乘以奇数的相差,将透明层涂以抗蚀剂,由曝光来形成抗蚀图型,以及使用抗蚀图型做为掩模来除去透明层。16.如申请专利范围第15项的方法,其中一步步或连续改变曝光量,将抗蚀剂的至少一个周边曝光。17.如申请专利范围第15项的方法,其中由焦点偏移的光 |
