发明名称 真空处理装置中之氢原子产生来源及氢原子输送方法
摘要 本发明系提案可有效抑制氢原子与真空处理装置的处理室内壁表面,或输送路径内壁表面接触再结合而返回氢分子之真空处理装置之氢原子产生来源及氢原子输送方法。面向配置有包围氢原子产生手段之构件的该氢原子产生手段的空间的表面至少一部份被覆SiO2之真空处理装置之氢原子产生来源。由真空处理装置之氢原子产生手段所生成之氢原子输送至指定场所之方法,介由内壁表面被覆SiO2之输送路径输送该氢原子之真空处理装置之氢原子输送方法。
申请公布号 TW200630503 申请公布日期 2006.09.01
申请号 TW094125643 申请日期 2005.07.28
申请人 安内华股份有限公司 发明人 梅本宏信;增田淳;米山浩司;石桥启次;池本学
分类号 C23C16/452;H01L21/205 主分类号 C23C16/452
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本