发明名称 SUBSTRAT, NOTAMMENT EN CARBURE DE SILICIUM, RECOUVERT PAR UNE COUCHE MINCE DE NITRURE DE SILICIUM STOECHIOMETRIQUE, POUR LA FABRICATION DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES, ET PROCEDE D'OBTENTION D'UNE TELLE COUCHE
摘要
申请公布号 FR2888399(B1) 申请公布日期 2008.03.14
申请号 FR20050052060 申请日期 2005.07.05
申请人 UNIVERSITE PARIS SUD (PARIS XI);COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ETABLISSEMENT PUBLIC A CARACTERE SCIENTIFIQUE TECHNIQUE ET INDUSTRIEL 发明人 SOUKIASSIAN PATRICK
分类号 H01L21/04;H01L21/318;H01L29/04 主分类号 H01L21/04
代理机构 代理人
主权项
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