发明名称 闸极介电结构及其在有机薄膜电晶体之应用
摘要 一种闸极介电结构及其在有机薄膜电晶体之应用,乃将有机无机复合层与有机绝缘层构成闸极介电结构,并可将此闸极介电结构应用在有机薄膜电晶体等电子元件,由于闸极介电结构之有机无机复合层是以有机绝缘材料为基底并掺有经表面修饰之无机微粒子,可达到高介电,并藉由有机绝缘层对于有机无机复合层表面之修饰,不但可以抑制漏电流,还可帮助元件形成规则晶格排列的有机半导体层,以提升元件的载子迁移率,因此,元件的输出电流可以提高,且元件的效能也被大幅增进。
申请公布号 TW200737520 申请公布日期 2007.10.01
申请号 TW095109191 申请日期 2006.03.17
申请人 国立交通大学;友达光电股份有限公司 AU OPTRONICS CORP. 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号;广辉电子股份有限公司 QUANTA DISPLAY INC. 桃园县龟山乡华亚二路189号 发明人 陈方中;庄乔舜;林永昇
分类号 H01L29/786(2006.01);H01L27/28(2006.01);H01L51/30(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 林火泉
主权项
地址 新竹市东区大学路1001号