于半导体晶圆上形成薄氧化层之方法

摘要

一矽晶圆上之一氧化层藉由一制程化学物例如氢氟酸施加于晶圆上加以去除。一般藉此可以充分去除所有既存氧化层，留下暴露之矽表面。一高品质自终止化学氧化层之后可生成于晶圆上。化学氧化层之后以化学蚀刻方式薄化。一材料层，可为高介电常数介电材料，之后施于上述薄氧化层。此制程可以用以制造具有特定电气特性之微电子元件。