发明名称 | 在低电源电压下高速动作的静态型半导体存储装置 | ||
摘要 | 在数据读出时减小位线振幅的位线负载元件,使用并联连接的p沟道MOS晶体管和n沟道MOS晶体管。在将字线驱动到选择状态时,将p沟道MOS晶体管保持在截止状态。在数据写入时,将n沟道MOS晶体管以及p沟道MOS晶体管同时被驱动至截止状态。即使在低电源电压下,也不受位线负载元件尺寸的影响而可以产生充分大的位线振幅。另外,通过在数据写入时将位线负载元件设定在非激活状态,就可以防止数据写入时产生直流电流。 | ||
申请公布号 | CN1230750A | 申请公布日期 | 1999.10.06 |
申请号 | CN98106128.1 | 申请日期 | 1998.04.01 |
申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 山下正之;川村栄喜 |
分类号 | G11C11/34 | 主分类号 | G11C11/34 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
主权项 | 1、一种半导体存储装置,具备:排列成矩阵形的多个存储单元;多条字线,对应于上述各行配置,每一字线连接对应行的存储单元;多对位线,对应于上述各列配置,每对位线连接对应列的存储单元;对应于各位线设置的,各被连接在对应的位线和电源节点之间的多个位线负载元件,每一位线负载元件具有:相互并列地连接在对应的位线和电源节点之间的第1导电类型的绝缘栅场效应晶体管和第2导电类型的绝缘栅场效应晶体管;响应数据写入指示信号和字线激活指示信号,调整上述多个位线负载元件的各对应的位线的负载的控制电路,该控制电路包含:在数据写入指示信号以及上述字线激活信号的激活时将上述第1以及第2导电类型的绝缘栅型晶体管设定在截止状态,并且响应上述字线激活信号的激活将上述第1导电类型绝缘栅型电场效果晶体管设置成截止状态的装置;读出电路,用于在数据读出模式时读出被地址指定后的存储单元的数据。 | ||
地址 | 日本东京 |