| 摘要 |
<p>본 발명은 셀 어레이(cell array) 내에서 플로팅게이트(floating gate) 단차를 줄이어 소자특성을 향상시킬 수 있는 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 반도체장치의 제조방법은 반도체기판 상에 제 1게이트를 형성하는 공정과, 반도체기판 상에 제 1게이트를 노출시키도록 제 1절연막을 형성하는 공정과, 상기 제 1절연막 상에 상기 제 1게이트와 연결되도록 다결정실리콘을 증착하여 패턴 식각하여 제 2게이트를 형성하는 공정과, 상기 제 2게이트 표면에 HSG(Hemi Spheric Glass)처리하여 다 수개의 반구형입자를 형성시키어 상기 제 1게이트와 상기 표면에 다 수개의 반구형입자가 형성된 제 2게이트로 된 플로팅게이트를 형성하는 공정과, 플로팅게이트 상에 유전체층을 개재시키어 콘트롤게이트를 형성하는 공정을 구비한 것이 특징이다. 따라서, 본 발명에서는 플로팅게이트의 제 2게이트 표면에 다 수개의 반구형입자를 형성함으로써, 플로팅게이트와 콘트롤게이트 간의 커플링비가 향상된다. 따라서, 본 발명에서는 플로팅게이트 표면적이 증가되므로 단차를 낯춰 안정적인 구조로 제조가능함에 따라, 제품의 신뢰성이 향상된 잇점이 있다.</p> |
