改善感光积体电路之光子表现之方法

摘要

本发明提供一种形成在内层介电材料层(ILD)的一导光特征(light–directing feature)，结合一抗反射层(AR)，可同时有效增加量子效率与抗扰性，因此改善感光积体电路之光子表现的方法。其步骤包含形成复数个光感测器单元在一半导体基材上，接着，形成一抗反射层在此些光感测器单元上，此抗反射层实质上不会使入射光产生反射，然后，形成一内层介电材料层在此抗反射层之上，其中内层介电材料层包含形成在其开口的复数个导光特征，且此些导光特征位于抗反射层上以及部份光感测器单元之上方。