发明名称 Temperature stable current source
摘要 <p>Afin de rendre le courant (I0) peu sensible à la température, un premier et un second transistors MOS (N0, N1) alimentés par un miroir de courant (1) ont leurs sources reliées à la masse (Vss), le drain (a) et la grille du premier transistor (N0) étant reliés à la grille (b) du second transistor (N1) par l'intermédiaire d'une résistance (R).</p><p>Le quotient des rapports dimensionnels des transistors (N0, N1) est égal au coefficient (β) du miroir de courant (1) et les transistors (N0, N1) sont dopés pour que le seuil du second transistor (N1) soit supérieur à celui du premier (N0).</p><p>Application notamment aux générateurs de rampe pour la programmation des cellules EEPROM.</p>
申请公布号 EP0687967(A1) 申请公布日期 1995.12.20
申请号 EP19950401363 申请日期 1995.06.12
申请人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.A. 发明人 LOPEZ, JOAQUIN;COQUIN, JEAN-MICHEL
分类号 G05F3/24;G05F3/26;G05F3/30;H03F3/343;H03F3/347;(IPC1-7):G05F3/30 主分类号 G05F3/24
代理机构 代理人
主权项
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