| 主权项 |
1.一种在物体表面形成一层聚合物薄膜之化学沉积制程,该制程至少包含:将一物体置于一沉积室;将对苯二甲烯单体及一共单体流入沉积室,该共单体系选自四烯丙基氧矽烷及四乙烯基四甲基环四矽氧烷中;且在物体表面沈积一层共聚物薄膜。2.如申请专利范围第1项所述之制程,其中之共聚物于400℃下以热重量分析法分析时,其重量损失低于1%。3.如申请专利范围第1项所述之制程,其中之共聚物薄膜其介电常数低于2.2。4.如申请专利范围第1项所述之制程,其中共单体之二个或更多之侧基碳-碳双键几乎都已被聚合。5.如申请专利范围第1项所述之制程,其中共单体之至少有三个侧基碳-碳双键被聚合。6.一种共聚物薄膜,其系由包含下列步骤之制程产生:将一物体置于一沉积室;将对苯二甲烯单体及一共单体流入沉积室,该共单体系选自四烯丙基氧矽烷及四乙烯基四甲基环四矽氧烷中;且在物体表面沉积一层介电常数低于2.2之共聚物薄膜。7.如申请专利范围第6项所述之共聚物薄膜,其中之共聚物于400℃下以热重量分析法分析时,其重量损失低于1%。8.如申请专利范围第6项所述之共聚物薄膜,其中共单体之二个或更多之侧基碳-碳双键几乎都已被聚合。9.如申请专利范围第6项所述之共聚物薄膜,其中共单体之至少三个侧基碳-碳双键被聚合。10.一种用以沉积共聚物薄膜之装置,包含:一位于被加热沉积室中被冷却之基板载盘;一对苯二甲烯单体源;一选自四烯丙基氧矽烷及四乙烯基四甲基环四矽氧烷之共单体源;以及一制程控制器,其系被设定经由包含下列步骤之制程于基板载盘中基板产生共聚物薄膜;将对苯二甲烯单体及一共单体流入沉积室;以及在基板上沉积一层共聚物薄膜。11.如申请专利范围第10项所述之装置,其中之共聚物于400℃下以热重量分析法分析时,其重量损失低于1%。12.如申请专利范围第10项所述之装置,其中之共聚物薄膜其介电常数低于2.2。13.如申请专利范围第10项所述之装置,其中之共单体之侧基碳-碳双键几乎都已被聚合。图式简单说明:第一图为本发明中共聚物沉积装置之示意图;第二图为第一图装置之部分剖面图,显示一蒸发器,一分解室,及供应反应蒸气至沉积室之歧管;第三图为第一图及第二图所示分解室之水平剖面图,显示位于分解室中之空心管以增加流经分解室蒸气与气体表面接触面积;第四图为第一图及第二图所示分解室另一种结构之垂直剖面图,使用一序列有不对准孔洞之碟片;第五图为第四图所示碟片之上视图,显示其开口与下方碟片开口不对齐;第六图为一本发明具体实施所用举例之化学气相沉积制程室之剖面图;第七图为第六图举例之化学气相沉积制程室监控系统图;第八图为第六图举例之化学气相沉积制程室所用制程控制电脑程式流程图;第九图为第六图中晶片承载机构之上视图;第十图为第一图所用装置之部分垂直剖面图,显示气体/蒸气由制程室排出;第十一图为描述本发明一具体实施例之流程图;第十二图为一将可聚合材料由蒸发器传输至分解室之输送气体传输系统示意图。 |
