| 摘要 |
本发明有关一用于制造一具有一基材及一半导体体部的半导体元件之方法，其中因此在该半导体体部中藉由半导体体部的一台面形突件形成一半导体构件，其在半导体元件的表面上形成为一奈米线，其上使一材料的一层沉积在半导体体部上方且所产生的结构后续在一化学机械抛光制程中被平面化使得奈米线的一上侧变成曝露。根据本发明，另一材料的另一层系在材料层沉积之前以奈米线沉积于半导体体部上方，该另一层被提供小于奈米线高度之一厚度，且对于该另一材料选择一材料使得在突部中观看时，在抵达奈米线之前可分辨该层与该另一层之间的转折。利用此方式，奈米线可在装置中更精确地曝露。这增高了有用元件的良率。 |
