| 主权项 |
1.一种在微粒非晶形沈淀二氧化矽基质表面上形成薄聚合膜之方法,其特征为:(a)令微粒非晶形二氧化矽、非离子性、阳离子性或阴离子性界面活性剂、如下所述单体及水性溶剂于-10℃至70℃温度下相互接触,以接近平衡状态,界面活性剂在液相中的浓度系低于、等于或稍微高于临界胶微粒之浓度;及(b)在-10℃至95℃温度下聚合单体以形成与部分之微粒非晶形二氧化矽表面结合的聚合薄膜,该聚合薄膜为(i)系异戊二烯或丁二烯之脂族单体之均聚物或(ii)两种单体之共聚物,其一为异戊烯或丁二烯,而另一为苯乙烯、乙酸乙烯酯,4-甲氧基苯乙烯,4-氯苯乙烯,甲基丙烯酸甲酯或丙烯,其中该单体之含量占溶于水性溶剂之单体溶液中,单体总重之0.01至10重量百分比,其中界面活性剂占水性溶剂中(诸)单体溶液之0.01至10重量百分比。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中接近平衡时,液相中界面活性剂的浓度低于临界胶微粒之浓度。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中该微粒非晶形二氧化矽为微粒非晶形沈淀二氧化矽。4.根据申请专利范围第3项之方法,其中该界面活性剂为非离子界面活性剂。5.根据申请专利范围第4项之方法,其中该非离子界面活性剂为乙氧酸辛苯酯(10EO)。6.根据申请专利范围第3项之方法,其中该界面活性剂为阳离子界面活性剂。7.根据申请专利范围第6项之方法,其中该阳离子界面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵。8.根据申请专利范围第3项之方法,其中该单体为乙烯系不饱和者。9.一种在微粒非晶形沈淀二氧化矽基质表面上形成薄聚合膜之方法,其中:(a)于-10℃至70℃温度下,令微粒基质表面与含有溶于水性溶剂的非离子性、阳离子性或阴离子性界面活性剂分子的界面活性剂溶液接触,以于基质表面上形成至少一种复胶微粒(admicelle);(b)将复胶微粒与含有溶于水性溶剂中的单体分子的单体溶液接触,以浓缩复胶微粒内至少部分的单体分子;以及(c)于-10℃至95℃温度下聚合经浓缩之单体分子以产生尺寸上决定于复胶微粒且与部分微粒基质表面结合的聚合物薄膜;其改良处在于其中微粒基质为微粒非晶形二氧化矽,聚合薄膜为(i)异戊二烯或丁二烯单体之均聚物或(ii)两种单体之共聚物,其一为异戊二烯或丁二烯,而另一为苯乙烯、乙酸乙烯酯,4-甲氧基苯乙烯,4-氯苯乙烯,甲基丙烯酸甲酯或丙烯,其中该(等)单体占含水性溶剂之溶液的0.01至10重量百分比,并且界面活性剂占水性溶剂中(诸)单体溶液之0.01至10重量百分比。10.根据申请专利范围第9项之方法,其中液相中界面活性剂的浓度在单体聚合时系低于临界胶微粒之浓度。11.根据申请专利范围第10项之方法,其中当界面活性剂溶液与微粒非晶形二氧化矽接触时,界面活性剂之浓度高于临界胶微粒之浓度。12.根据申请专利范围第9项之方法,其中该微粒非晶形二氧化矽为微粒非晶形沈淀二氧化矽。13.根据申请专利范围第12项之方法,其中该界面活性剂为非离子界面活性剂。14.根据申请专利范围第13项之方法,其中该非离子界面活性剂为乙氧酸辛苯酯(10EO)。15.根据申请专利范围第12项之方法,其中该界面活性剂为阳离子界面活性剂。16.根据申请专利范围第15项之方法,其中该阳离子界面活性剂为十六烷基三甲铵溴。17.根据申请专利范围第12项之方法,其中该单体为乙烯系不饱和者。18.根据申请专利范围第12项之方法,其中该界面活性剂溶液之pH値范围系3到8。19.根据申请专利范围第9项之方法,其中该界面活性剂溶液及单体溶液为分开的溶液。20.根据申请专利范围第9项之方法,其中该界面活性剂溶液及单体溶液为相同的溶液。21.一种根据申请专利范围第1项之方法形成之表面经改良粒子。22.一种根据申请专利范围第9项之方法形成之表面经改良粒子。23.根据申请专利范围第21或22项之表面经改良粒子,其中该微粒非晶形二氧化矽为微粒非晶形沈淀二氧化矽。24.根据申请专利范围第23项之表面经改良粒子,其碳含量在0.1至30重量百分比的范围间。25.根据申请专利范围第24项之表面经改良粒子,其碳含量在0.5至20重量百分比之范围间。26.根据申请专利范围第24项之表面经改良粒子,其碳含量在1至10重量百分比之范围间。27.一种橡胶组合物,包含橡胶及根据申请专利范围第1-20项中任一项之方法制得之表面经改良粒子,其中橡胶占该组合物之25至75重量。28.一种橡胶组合物,包含橡胶及根据申请专利范围第21或22项之表面经改良粒子,其中橡胶占该组合物之25至75重量。29.根据申请专利范围第27项之橡胶组合物,其系未硫化者。30.根据申请专利范围第28项之橡胶组合物,其系未硫化者。31.根据申请专利范围第27项之橡胶组合物,其为经硫化者。32.根据申请专利范围第28项之橡胶组合物,其系经硫化 |
