氮化铝烧结体,半导体制造装置用组件及氮化铝烧结体之制造方法

摘要

〔课题〕提供在高温气氛下适合利用于静电夹头之基体材料之体积电阻率，且体积电阻率之温度依存性小之氮化铝烧结体。〔解决手段〕藉由形成在氮化铝(AlN)粒子1之粒界上连续形成体积电阻率之温度依存性低的(Sm, Ce)Al11O18粉末之导电路径2，使粒界相之体积电阻率之温度依存性小之同时，藉由使在AlN粒子1内之C与Mg之至少一方固溶，使导电路径2不会移行到AlN粒子1内，即使在高温气氛下，也可使AlN粒子1内之体积电阻率维持高值。