发明名称 覆晶式发光二极管及其制法与应用
摘要 本发明是有关于一种覆晶式发光二极管,包括:基板、半导体磊晶多层复合结构、第一与第二电极、第一与第二类金刚石/导电材料多层复合结构与绝缘保护层,其中,绝缘保护层为一具有不同折射率材料的堆栈结构,以及第一与第二类金刚石/导电材料多层复合结构于所述覆晶式发光二极管里可缓冲热应力现象,因此,所述覆晶式发光二极管可提升其整体输出光率,并避免元件光电特性变差,进而提高其可靠度与寿命。本发明亦关于上述覆晶式发光二极管的制法与应用。
申请公布号 CN103489983B 申请公布日期 2016.06.29
申请号 CN201210233881.2 申请日期 2012.07.06
申请人 铼钻科技股份有限公司 发明人 甘明吉;蔡百扬;宋健民
分类号 H01L33/46(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/46(2010.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 梁爱荣
主权项 一种覆晶式发光二极管,其特征在于,包括:一基板,具有一第一表面以及一相对于该第一表面的第二表面;一半导体磊晶多层复合结构,其位于该基板的该第二表面上方且包含一第一半导体磊晶层、一第二半导体磊晶层以及一盲孔,其中,该第一半导体磊晶层与该第二半导体磊晶层是层叠设置,且该盲孔贯穿该第二半导体磊晶层;一第一电极,位于该半导体磊晶多层复合结构的该第一半导体磊晶层上方;一第一类金刚石/导电材料多层复合结构,是填充于该半导体磊晶多层复合结构的该盲孔中,并覆盖于该第一电极上方,且电性连接该半导体磊晶多层复合结构的该第一半导体磊晶层;一第二电极,位于该半导体磊晶多层复合结构的该第二半导体磊晶层上方;一第二类金刚石/导电材料多层复合结构,位于该半导体磊晶多层复合结构的该第二电极上方,并电性连接该半导体磊晶多层复合结构的该第二半导体磊晶层;以及一绝缘保护层,覆盖该半导体磊晶多层复合结构的该第一半导体磊晶层的侧壁以及该第二半导体磊晶层的侧壁,以及该盲孔的内壁表面,以隔绝及该第一类金刚石/导电材料多层复合结构与该第二半导体磊晶层之间的接触;其中,该绝缘保护层是由两种或两种以上的不同折射率材料堆栈设置。
地址 中国台湾新竹县湖口乡