| 发明名称 | 薄膜形成装置的洗净方法 | ||
| 摘要 | 热处理装置的洗净处理包括将反应室内加热到300℃的加热工序、和去除附着在热处理装置内部的氮化硅的洗净工序。在洗净工序中，将含有氟气和氯气及氮气的清洗气体供给加热到300℃的反应管内，去除氮化硅而洗净热处理装置的内部。 | ||
| 申请公布号 | CN1327485C | 申请公布日期 | 2007.07.18 |
| 申请号 | CN02815512.2 | 申请日期 | 2002.02.20 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 西村和晃;东条行雄;P·斯波尔;多胡研治 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);H01L21/3065(2006.01);C23C16/44(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张天安;杨松龄 |
| 主权项 | 1.一种薄膜形成装置的洗净方法，将处理气体供给薄膜形成装置的反应室内而在被处理体上形成薄膜之后，去除附着在装置内部的附着物，其特征在于，包括以下工序：将上述反应室内加热到规定温度的加热工序；将含有氟气和可促进该氟气活化的添加气体的清洗气体供给通过上述加热工序已加热到规定温度的反应室内，通过将该清洗气体加热到规定温度，使清洗气体中所含的氟气活化，利用该被活化后的氟气去除上述附着物而洗净薄膜形成装置内部的洗净工序，并且所述添加气体由氨气、或氢气构成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||