通过自对准形成多晶硅浮栅结构的方法

摘要

该发明提供了一种用于制造集成电路器件的方法。所述方法包括，在提供的半导体基板上形成覆盖基板的垫氧化物层以及形成覆盖垫氧化物层的氮化硅层。所述方法包括形成通过氮化硅层并延伸到半导体基板内的某一深度的沟槽区。所述方法还包括以氧化物材料填充沟槽区。氧化物材料从沟槽区底部延伸到氮化硅层的上表面。所述方法包括平坦化氧化物材料并选择性地去除氮化硅层以形成隔离结构。然后沉积多晶硅材料以覆盖隔离结构。平坦化多晶硅材料以露出隔离结构的顶部并形成由隔离结构所分隔的左右两个存储单元。

主权项

1.一种制造集成电路器件的方法，所述方法包括：提供半导体基板，该基板包含一个表面区域；形成覆盖所述基板表面区的垫氧化物层，该垫氧化物层具有垫氧化物表面区；形成覆盖所述垫氧化物层的氮化硅层；形成通过所述氮化硅层并延伸到所述半导体基板内的一深度的沟槽区；使用等离子体沉积工艺以氧化物材料填充所述沟槽区，该氧化物材料从所述沟槽区的底部延伸到所述氮化硅层的上表面区；选择性地去除所述氮化硅层形成隔离结构，该隔离结构从所述沟槽区的底部延伸到所述垫氧化物表面区以上的一高度；剥离所述垫氧化物层；形成覆盖所述半导体基板的隧道氧化物；沉积多晶硅材料层，覆盖所述隔离结构，其中包括隧道氧化物结构；以及平坦化所述多晶硅层以露出所述隔离结构的顶部并形成由所述隔离结构分隔的左右两个存储单元。