| 发明名称 | 单结晶钻石成长用基材的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种能更确实地使单结晶钻石成长的单结晶钻石成长用基材的制造方法。一种单结晶钻石成长用基材的制造方法，包含对于钻石成长前的基材预先进行偏压处理，通过以基材侧电极作为阴极的直流放电而形成钻石核，其特征在于：该处理中，至少保持偏压处理开始40秒后至偏压处理结束为止的基材温度为800℃±60℃。 | ||
| 申请公布号 | CN101054720A | 申请公布日期 | 2007.10.17 |
| 申请号 | CN200710085883.0 | 申请日期 | 2007.03.08 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 野口仁 |
| 分类号 | C30B29/04(2006.01);C30B25/18(2006.01) | 主分类号 | C30B29/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 宋莉;贾静环 |
| 主权项 | 1.一种单结晶钻石成长用基材的制造方法，至少对于钻石成长前的基材预先进行偏压处理，以基材侧电极作为阴极进行直流放电而形成钻石核，其特征在于：该偏压处理中，至少将由偏压处理开始40秒后至偏压处理结束为止的基材温度，保持在800℃±60℃。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||