Verfahren zur Herstellung von versetzungsfreien Silicium-Einkristallen

摘要

Verfahren zur Herstellung eines versetzungsfreien Silicium-Einkristalls, das die folgenden Schritte einschließt: DOLLAR A Herstellen eines aus einem versetzungsfreien Einkristall mit einer Bor-Konzentration von 1 x 10·18· Atomen/cm·3· oder mehr gebildeten Silicium-Impfkristalls, Erstellen einer Siliciumschmelze mit einer Bor-Konzentration, die sich von derjenigen des Impfkristalls um 7 x 10·18· Atome/cm·3· oder weniger unterscheidet, und Inkontaktbringen des Impfkristalls mit der Siliciumschmelze, um den Silicium-Einkristall zu züchten.