太阳电池

摘要

一不昂贵，固结太阳电池（１０）包括一埋入其中及延伸至此矩阵型层（１４）主表面（１６及１８）之光电伏特材料（１４）。此矩阵层典型地包括一高强度，水泥型材料，例如一无大空隙水泥。此光电伏特材料包括高电阻系数单晶矽粒子（１２），典型地由不适合用于作薄切片晶圆之此晶块状切割作球型研磨。此块状切割包括不凝结不溶解氧，典型地被以低温退火程序作电气催化以产生ｎ型矽，即使于包括ｐ型掺杂之矽晶中亦然。一铝面（２８），配置于此矩阵层之背面，被简略地与此矽粒子熔接以产生一ｐ型铝掺杂矽区域（２２），其与此粒子ｎ型区域（２４）构成一ｐｎ接面。此铝面亦对此ｐ型区域制成此电性接触。此矩阵型层之前面，由此矽粒子露出之此ｎ部份，被以透明铟锡氧化导电层（３０）覆盖，其对此ｐｎ接面之此ｎ部份产生电性接触，及指状电极（３２）用以将电流传导出电池。当光射入于光电伏特粒子上通过此铜锡氧化导电层产生电荷载子时，一电压被于此两导电层间产生。

主权项

2.如申请专利范围第1项所述之太阳电池,其中此水泥型层为一铝酸钙,卜德兰水泥。3.如申请专利范围第1项所述之太阳电池,其中此水泥型层包括一水泥型材料具有一弯曲强度大于10MPa。4.如申请专利范围第3项所述之太阳电池,其中此水泥型层包括一无大空隙水泥材料。5.如申请专利范围第3项所述之太阳电池,其中光电伏特材料包括矽、碳化矽、或磷化镓。6.如申请专利范围第3项所述之太阳电池,其中光电伏特材料包括一pn接面。7.如申请专利范围第3项所述之太阳电池,其中光电材料包括一萧特基能障接面。8.如申请专利范围第1项所述之太阳电池,其中由此第一导电材料之一些原子为不溶解于此光电伏特材料,因此改变其电气特性。9.如申请专利范围第1项所述之太阳电池,其中此光电伏特材料包括n型及p型半导体矽,其构成一pn接面,此第一导电材料包括铝,及此p型材料包括铝掺杂矽。10.如申请专利范围第1项所述之太阳电池,其中此第一及第二导电材料包括一流体用以电化学储存能量。11.一太阳电池,包括:一坚固介电矩阵层具有第一及第二主表面;一光电伏特材料埋入于此坚固介电矩阵层及延伸至此第一与第二主表面上;第一及第二电性导电层分别并置于第一及第二主表面;及与此光电伏特材料作电性上之接触,此第二主表面传导一部份入射光。12.一制造太阳电池之方法包括:制成一光电伏特材料之粒子;将此光电伏特材料粒子埋入一水泥型层,使得粒子延伸至此水泥层之主表面上;及对此光电伏特材料制成电性接触。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中将此粒子埋入一水泥型层中包括将此粒子埋入一无大空隙水泥层中。14.如申请专利范围第12项所述之方法,其中将此粒子埋入一无大空隙水泥层中包括压制此水泥层。15.如申请专利范围第12项所述之方法,其中对此光电伏特材料制成电性接触包括:以一合金材料对此光电伏特材料作电性接触,以降低光电伏特材料之熔解温度;及将此合金材料熔解此光电伏特材料,以改变此光电伏特材料之电气特性。16.如申请专利范围第12项所述之方法,其中光电材料包括矽及此合金材料包括铝。17.如申请专利范围第12项所述之方法,其中:制成光电伏特材料粒子包括制成半导体矽粒子;与光电伏特材料制成电性接触包括与一铝导电层制成一电性接触,及以一铝-矽熔合程序于此光电伏特材料中制成一pn接面。18.如申请专利范围第12项所述之方法,其中制成光电伏特材料粒子包括将光电伏特材料粉碎以制成粒子稍微大于无大空隙水泥层之厚度。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中制成光电伏特材料粒子包括增加少数载子之生命周期。20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中增加此少数载子之生命周期包括当粉碎此光电伏特材料时提供一润滑剂以减少差排。21.如申请专利范围第19项所述之方法,其中增加此少数载子之生命周期包括将此粒子作退火处理。22.如申请专利范围第19项所述之方法,其中增加此少数载子之生命周期包括蚀刻此粒子。23.如申请专利范围第19项所述之方法,其中增加此少数载子之生命周期包括于此粒子上制成一层膜。24.制成一太阳电池之方法,包括:制成一高电阻系数光电伏特材料;于此光电伏特材料中催化一电气惰性材料,以将此p型光电伏特材料转换为此n型光电伏特材料;将一第二材料层与此光电伏特材料之表面并置,以于光电伏特材料与此第二材料间制成界面;及以将此光电伏特材料及此第二材料于其界面熔化再固体化,于此光电伏特材料间制成一pn接面,因此第二种材料之原子掺杂此光电伏特材料。25.如申请专利范围第24项所述之方法,其中此光电伏特材料包括n型矽,此第二种材料包括铝,及制成pn接面包括一577℃铝-矽熔合程序。图示简单说明:图式1为本发明一太阳电池之平面图。图式2及图式3为分别沿着图式1之2-2与3-3线看入之横截面剖视。