| 发明名称 | 基座、气相生长装置、外延晶片的制造装置、外延晶片的制造方法和外延晶片 | ||
| 摘要 | 本发明是在气相生长时支撑半导体衬底(W)的基座(10)，在上表面上形成了在内部配置半导体衬底(W)的镗孔(11)。镗孔(11)形成具有支撑半导体衬底(W)的外周边缘部的上段镗孔部(11a)和与该上段镗孔部(11a)相比在中心侧下段形成的下段镗孔部(11b)的二段结构，在下段镗孔部(11b)中形成了贯通背面并在气相生长时也呈开放状态的孔部(12)。 | ||
| 申请公布号 | CN100338734C | 申请公布日期 | 2007.09.19 |
| 申请号 | CN02827641.8 | 申请日期 | 2002.11.27 |
| 申请人 | 信越半导体株式会社 | 发明人 | 吉田知佐;荒井刚;秋山谦二;大濑广树 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种在气相生长时支撑半导体衬底的基座，其特征在于：在上表面上形成了在内部配置半导体衬底的镗孔，该镗孔形成具有支撑半导体衬底的外周边缘部的上段镗孔部和与该上段镗孔部相比在中心侧下段形成的下段镗孔部的二段结构，在上述下段镗孔部中形成了贯通背面并在气相生长时也呈开放状态的孔部，并具有在面对在半导体衬底的外周边缘部上形成的倒角部的背面的位置上形成的上述孔部。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||