发明名称 CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS
摘要 본 발명은 화학 기계적 연마 장치 및 이에 사용되는 캐리어 헤드에 관한 것으로, 웨이퍼의 판면이 자전하는 연마 패드 상에 접촉하면서 상기 웨이퍼의 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 데 사용되는 캐리어 헤드로서, 상기 화학 기계적 연마 공정 중에 상기 웨이퍼의 판면에 접촉하여 가압하는 멤브레인 바닥판을 포함하는 멤브레인과; 서로 다른 높이를 갖는 제1단턱면과 제2단턱면이 형성되고 도전성 소재로 형성된 링 형태의 제1부재와, 상기 제1부재의 하측에 비도전성 부재로 적층 형성되어 상기 화학 기계적 연마 공정 중에 상기 연마 패드에 접촉하는 제2부재를 포함하고, 상기 멤브레인의 둘레에 링 형태로 배치된 리테이너 링을; 포함하여 구성되어, 제1단턱면과 제2단턱면에서의 2개의 출력 신호로부터 미리 알고 있는 제1단턱면과 제2단턱면의 높이차이를 이용하여 연마 패드의 두께 변동량을 측정한 후, 웨이퍼의 도전층에서의 와전류 출력 신호로부터 산출된 웨이퍼의 도전층 두께에 연마 패드의 두께 변동량을 반영함으로써, 연마 패드의 마모량을 고려한 웨이퍼의 도전층 두께를 정확하게 측정할 수 있는 화학 기계적 연마 장치를 제공한다.
申请公布号 KR101637540(B1) 申请公布日期 2016.07.08
申请号 KR20140076336 申请日期 2014.06.23
申请人 주식회사 케이씨텍 发明人 조문기;손준호;김민성
分类号 B24B37/32;H01L21/304 主分类号 B24B37/32
代理机构 代理人
主权项
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