| 主权项 |
1.一种制造基板之方法,包含: 植入操作(100),系藉由将该原子物质轰击至晶锭(1) 之柱形表面之区域之上,而将原子物质植入至柱形 晶锭(1)型式之材料的表面之下,植入深度系分布于 一特定値左右;以及 分离操作(300),于在表面与分离深度之间的材料之 层(2)的植入深度左右之分离深度进行,以将层(2)与 晶锭(1)之剩余部分予以分离。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,原子物 质之植入操作(100)系藉由下述方式而完成:当晶锭 绕着平行于柱形表面之轴旋转时,以朝晶锭之纵向 扫过之局限化的离子束连续地轰击晶锭(1)之柱形 表面。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,原子物 质之植入操作(100)系藉由以下方式而完成:当晶锭 绕着平行于柱形表面之轴旋转时,以对应于既定区 域之延长剖面之离子束连续地轰击晶锭(1)之柱形 表面。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,原子物 质之植入操作(100)系藉由以下方式而完成:当晶锭( 1)绕着平行于在每次轰击与下一次轰击之间的晶 锭(1)之柱形表面之轴旋转时,对应于邻近于晶锭(1) 之柱形表面之连续区间之既定区域实行轰击。 5.如申请专利范围第1至4项中之任一项所述之方法 ,其中,晶锭(1)之整体柱形表面系受到轰击。 6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中,晶锭(1) 之整体柱形表面系藉由将晶锭(1)浸泡于电浆中而 连续受到轰击。 7.如申请专利范围第1至4项中之任一项所述之方法 ,更包含加热操作(200)。 8.如申请专利范围第1至4项中之任一项所述之方法 ,更包含将在晶锭(1)之柱形表面与分离深度间之材 料层(2)传送至支座(6)之上之操作。 9.如申请专利范围第8项所述之方法,更包含利用冷 却滚轮(216)而将在晶锭(1)之柱形表面与分离深度 间之材料层(2)按压至支座(6)之上之操作。 10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中,支座(6) 具有黏性。 11.如申请专利范围第1至4项中之任一项所述之方 法,更包含利用液相或气相沉积而覆盖晶锭(1)之柱 形表面与分离深度间之材料层(2)之操作。 12.如申请专利范围第1至4项中之任一项所述之方 法,其中,该材料系为矽。 13.如申请专利范围第1至4项中之任一项所述之方 法,其中,原子物质包含氢离子。 14.如申请专利范围第13项之方法,其中,原子物质包 含例如磷或砷离子之掺杂离子。 15.如申请专利范围第1至4项中之任一项所述之方 法,更包含:藉由在滚轮之间滚动那些层,而将一个 层(6,12)涂敷至在晶锭(1)之柱形表面与分离深度间 之材料层(2)之每个面之操作。 16.如申请专利范围第1至4项中之任一项所述之方 法,更包含将包含电路图案之至少一层(6,12)传送至 在晶锭(1)之柱形表面与分离深度间之材料层(2)之 上之操作。 17.如申请专利范围第1至4项中之任一项所述之方 法,其中,晶锭(1)具有圆形剖面。 18.如申请专利范围第1至4项中之任一项所述之方 法,其中,晶锭(1)具有正方形剖面。 19.一种用以制造基板之装置,包含: 植入装置(110),用以将原子物质植入至以柱形晶锭( 1)之型式存在之材料表面之下,植入深度系分布于 一特定値左右; 分离装置(210,310),用以在植入深度附近之分离深度 分离材料层(2);以及 旋转装置(410),用以绕着平行于晶锭(1)之柱形表面 之轴旋转材料之柱形晶锭(1)。 20.如申请专利范围第19项之装置,更包含: 支撑装置(310),用以支撑在晶锭(1)之柱形表面与分 离深度间之材料层(2),以在该层(2)与晶锭(1)分离之 后收集该层(2)。 21.如申请专利范围第20项之装置,其中,支撑装置( 310)包含复数个吸力夹持装置(315),其乃配置遍布驱 动滚轮装置(316,317)。 22.如申请专利范围第1项之方法,其中该基板适用 于制造光学元件、电子元件或光电元件。 23.如申请专利范围第19项之装置,其中该基板适用 于制造光学元件、电子元件或光电元件。 图式简单说明: 图1系为藉由依据本发明之基板制造方法之第一实 施例,而遭受到离子植入法与材料层之分离的晶锭 之概略立体图; 图2系为依据本发明之基板制造装置之一例之示意 图,以相对于图1之晶锭的柱体轴之剖面显示; 图3系为使用依据本发明之方法之第二实施例之示 意图,以相对于类似图1与2之晶锭之柱体轴之剖面 显示; 图4系为使用依据本发明之方法之第三实施例之示 意图,以相对于类似图1至3之晶锭之柱体轴之剖面 显示; 图5系为使用依据本发明之方法之显示于图4之实 施例之变形例之示意图,以相对于例如图1至4之晶 锭之柱体轴之剖面显示; 图6系为使用依据本发明之方法之显示于图4之实 施例之另一变形例之示意图,以相对于例如图1至5 之晶锭之柱体轴之剖面显示; 图7系为使用依据本发明之方法之第四实施例之示 意图,以相对于类似图1至6之晶锭之轴之剖面显示; 图8系为使用依据本发明之方法之第五实施例之示 意图,以相对于类似图1至7之晶锭之轴之剖面显示; 图9系为使用依据本发明之方法之第四实施例之变 形例之示意图,以相对于类似图1至7之晶锭之轴之 剖面显示; 图10系为使用依据本发明之方法之第六实施例之 示意图,以相对于类似图1至9之晶锭之轴之剖面显 示; 图11a系为以依据本发明之方法之第七实施例所获 得之基板之示意图,其乃以垂直于藉由依据本发明 之方法而遭受到轰击之表面之截面显示,而图11b系 依图11a所示之基板之植入深度之函数而显示植入 原子物质之浓度分布图; 图12a系为意图于依据本发明之方法之第八实施例 叠置的三个层之概略立体图,而图12b显示在组装图 12a所示之三个层之后所获得之构造。 图13系为使用依据本发明之方法之第九实施例之 示意图,以相对于图1至10之晶锭之柱体轴之剖面显 示;及 图14系为使用于本发明之变形例之正方形剖面晶 锭之示意图,以相对于晶锭之轴之剖面显示。 |
