| 发明名称 | 改进的高性能磁通门装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种改进的高性能磁通门装置。一种集成电路包括磁通门磁强计。利用非磁性金属或非磁性合金封装层118/122封装磁通门磁强计的磁芯120。封装层在磁芯材料120和周围电介质124之间提供应力松弛。一种用于形成集成电路的方法利用非磁性金属或非磁性合金层118/122封装磁通门磁强计的磁芯120，以消除分层并基本上减少围绕磁芯120的电介质的开裂。 | ||
| 申请公布号 | CN105655367A | 申请公布日期 | 2016.06.08 |
| 申请号 | CN201510869776.1 | 申请日期 | 2015.12.02 |
| 申请人 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 发明人 | M·M·伊萨;D·W·李 |
| 分类号 | H01L27/22(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L43/02(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵蓉民;孙娜燕 |
| 主权项 | 一种集成电路，包括：具有磁芯的磁通门，其中所述磁芯在所有侧面上被封装剂层封装，其中所述封装剂包括在所述磁芯下方的第一层非磁性金属或非磁性合金和在所述磁芯顶部和侧面上方的第二层所述非磁性金属或所述非磁性合金。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||