| 主权项 |
1.一种生产线解析方法,具备:第1步骤,当藉由生产线中之处理装置进行处理对象物之处理时,将包含处理结果的资料及处理条件的资料之条件结果资料储存于资料库中;第2步骤,藉由反复进行前述第1步骤以在前述资料库中累积前述条件结果资料,当藉由前述生产线中之处理装置进行处理对象物之处理时,从储存于前述资料库之条件结果资料中检索出条件相同于本次处理之条件结果资料;及第3步骤,基于前述第2步骤所检索出之条件结果资料解析前述生产线中之处理装置或处理对象物。2.如申请专利范围第1项所述之生产线解析方法,其中,前述第1步骤中之处理结果的资料中,包含晶圆制程中存在于处理对象物上的异物或缺陷的分布之经数値化的资料。3.如申请专利范围第2项所述之生产线解析方法,其中,前述第3步骤另具有下述步骤,在前述第2步骤中前述处理装置的处理结果显示前述缺陷为规格外的情况下,依据前述第3步骤所检索出之条件结果资料,基于相对于处理时间之缺陷数目的趋势,以解析规格外的原因。4.一种生产线解析装置,具备:资料库,当藉由生产线中之处理装置进行处理对象物之处理时,用来储存包含处理结果的资料及处理条件的资料之条件结果资料;检索部,当藉由前述生产线中之处理装置进行处理对象物之处理时,从储存于前述资料库之条件结果资料中检索出条件相同于本次处理之条件结果资料;及解析部,基于前述检索部所检索出之条件结果资料解析前述生产线中之处理装置或处理对象物。5.如申请专利范围第4项所述之生产线解析装置,其中,前述处理结果的资料中,包含晶圆制程中存在于处理对象物上的异物或缺陷的分布之经数値化的资料。6.如申请专利范围第4项所述之生产线解析装置,其中,前述解析部系,在前述处理装置的处理结果显示前述缺陷为规格外的情况下,依据检索部所检索出之条件结果资料,基于相对于处理时间之缺陷数目的趋势,以解析规格外的原因。图示简单说明:第一图系显示本发明的实施形态中生产线解析装置的一例之方块图。第二图系显示连接于第一图所示的制造装置A3之检查装置B3及资料库C3的内部之方块图。第三图系显示第一图所示的半导体装置的生产线10之主要处理的流程图。第四图系用来详细说明第三图所示的步骤100的处理之流程图。第五图系用来详细说明第三图所示的步骤200的处理之流程图。第六图系用来详细说明第三图所示的步骤300的处理之流程图。第七图系用来详细说明第三图所示的步骤400的处理之流程图。第八图为显示异物检查资料库的例子之资料构造图。第九图为显示缺陷检查资料库的例子之资料构造图。第十图为显示尺寸误差资料库的例子之资料构造图。第十一图为显示画像资料库的例子之资料构造图。第十二图为显示电气特性资料库的例子之资料构造图。第十三图为显示制品特性资料库的例子之资料构造图。第十四图为显示不良解析资料库的例子之资料构造图。第十五图为显示晶圆上所分割出之区域A-D之图。第十六图为代表异物或缺陷与其等个数间的关系之矩形图。第十七图为显示分析结果的一例之图形。第十八图为显示习知的生产线解析装置之方块图。第十九图为显示在制程改善前习知的顺序之方块图。第二十图系显示本发明的实施形态中生产线解析装置的其他例之方块图。 |
