发明名称 一种C/C复合材料表面制备抗热震性能优越的Si-Mo-Cr涂层的方法
摘要 本发明涉及一种C/C复合材料表面制备抗热震性能优越的Si‑Mo‑Cr涂层的方法,通过对C/C复合材料烧蚀处理‑制备SiC纳米线‑包埋法在C/C复合材料制备Si‑Mo‑Cr陶瓷涂层。具体过程为:将C/C复合材料清洗后烘干备用;调节氧气和乙炔流量,充分混合点燃后对C/C复合材料进行烧蚀处理,快速高效地获得含多孔表面层的C/C复合材料;化学气相沉积法制备SiC纳米线;采用包埋法在C/C复合材料表面制备Si‑Mo‑Cr陶瓷涂层。本发明的有益效果:与未经处理制备的具有平直界面的Si‑Mo‑Cr陶瓷涂层试样相比,涂层与基体间的结合强度提高了40%~70%。当经历20次1600至室温的氧乙炔烧蚀环境下的热震后,试样失重率降低了50~70%。
申请公布号 CN105712746A 申请公布日期 2016.06.29
申请号 CN201610031502.X 申请日期 2016.01.18
申请人 西北工业大学 发明人 付前刚;张佳平;李贺军;瞿俊伶
分类号 C04B41/89(2006.01)I 主分类号 C04B41/89(2006.01)I
代理机构 西北工业大学专利中心 61204 代理人 王鲜凯
主权项 一种C/C复合材料表面制备抗热震性能优越的Si‑Mo‑Cr涂层的方法,其特征在于步骤如下:步骤1、预处理C/C复合材料:将热梯度化学气相渗透法制成的C/C复合材料超声清洗后烘干;步骤2、在C/C复合材料表面构造多孔层:将氧乙炔枪以90°角对准预处理后的C/C复合材料进行烧蚀,烧蚀结束后采用超声清洗,并烘干;所述氧乙炔枪与C/C复合材料的距离为8~12mm,烧蚀时间为25~50s;步骤3、在C/C复合材料表面制备SiC纳米线多孔层:称取质量百分比为10~20%的Si粉,质量百分比为15~30%的C粉和质量百分比为55~75%的SiO<sub>2</sub>粉,球磨处理后将混合粉料放入石墨坩埚底部;再将步骤2制备的含有多孔表面层的C/C复合材料用炭绳捆绑后悬挂在坩埚内的粉料上方;将石墨坩埚放入石墨发热体的真空反应炉中,对真空炉进行真空处理后,通氩气至常压,然后以5~10℃/min升温速度将炉温从室温升至1500~1700℃,保温1~3小时;随后关闭电源自然冷却至室温,全程氩气保护;步骤4、包埋浸渗法制备Si‑Mo‑Cr涂层;分别称取质量百分比为45–60%Si粉,质量百分比为25–30%MoSi<sub>2</sub>粉,质量百分比为5–15%Cr粉和质量百分比为8–15%C粉,球磨混合处理后将粉料置于小坩埚中,再将步骤3得到的C/C复合材料埋入粉料中,一并置于包埋炉中,通入氩气以4~8℃/min的升温速率将包埋炉升温到1900~2300℃,保温1~4h,在C/C复合材料表面得到抗热震性能优越的Si‑Mo‑Cr陶瓷涂层。
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