| 主权项 |
1.一种判定多晶矽蚀刻终点之方法,系使用于一元件上,该元件至少括一第一材料层与一第二材料层,用以判断蚀刻是否到达该第一材料层与该第二材料层之一界面,该方法包括下列步骤:a.对该第一材料层进行波长扫瞄,得到一第一光谱图;b.对该第二料材层进行波长扫瞄,得到一第二光谱图;c.重叠相减该第一光谱图与该第二光谱图,得到强度相差较大之一波长;d.以该波长做为蚀刻终点判定之一侦测波长;以及e.进行蚀刻步骤,以该波长侦测,该波长吸收强度大幅改变时即终止蚀刻。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一材料层为一多晶矽层。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一材料层为一氧化层。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二材料层为一多晶矽层。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二材料层为一氧化层。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该波长吸收强度大幅增加时即达蚀刻终点。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该波长吸收强度大幅减弱时即达蚀刻终点。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该方法系用于薄的闸极的多晶矽蚀刻。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该方法系用于通道的多晶矽蚀刻。图示简单说明:第一图绘示系依照本发明一较佳实施例,欲蚀刻之元件结构示意图。第二图绘示依照本发明一较佳实施例,对氧化层做全频扫瞄之结果示意图。第三图绘示系依照本发明一较佳实施例,对多晶矽层做全频扫瞄之结果示意图。 |
