| 摘要 |
Vertikaler Bipolartransistor, mit einem Substrat (210; 300) aus Halbleitermaterial eines ersten Leitfähigkeitstyps und einem darin ausgebildeten Isolationsgebiet (212; 327), einer in einer Öffnung des Isolationsgebietes (212; 327) angeordneten ersten Halbleiterelektrode (220; 326) aus einkristallinem Halbleitermaterial eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die entweder als Kollektor oder als Emitter ausgebildet ist und die einen ersten Höhenabschnitt und einen angrenzenden, in einer Höhenrichtung vom Substratinneren weiter entfernten zweiten Höhenabschnitt aufweist, wobei nur der erste Höhenabschnitt vom Isolationsgebiet in zur Höhenrichtung senkrecht stehenden lateralen Richtungen umschlossen ist, einer zweiten Halbleiterelektrode (260; 318) aus Halbleitermaterial des zweiten Leitfähigkeitstyps, die als der andere Typ Halbleiterelektrode, also als Emitter beziehungsweise alternativ als Kollektor, ausgebildet ist, einer Basis (230c; 314) aus einkristallinem Halbleitermaterial des ersten Leitfähigkeitstyps zwischen dem Kollektor und dem Emitter und einem Basisanschlussgebiet (233; 320), das einen einkristallinen Abschnitt (233a, 233b, 233c, 233d, 233e) aufweist, der in lateraler Richtung den, von der Basis aus gesehen, weiter zum Substratinneren liegenden zweiten Höhenabschnitt (230a) der ersten Halbleiterelektrode (220; 326) lateral umgibt und der mit seiner zum Substratinneren weisenden Unterseite unmittelbar auf dem Isolationsgebiet (211; 327) aufliegt und der nachfolgend ...
|
