发明名称 一种薄膜应力控制方法
摘要 本发明涉及一种薄膜应力控制方法,属于航天器热控领域。该方法采用磁控溅射薄膜沉积技术在聚合物薄膜上沉积锡薄膜和铝薄膜,然后抽真空并加温,使锡薄膜和铝薄膜之间形成锡铝合金,使晶格产生膨胀畸变,来引入相反的应力与已经存在的本征压应力相抗衡,在宏观上呈现较为平整的薄膜。本发明可以用于卫星热控用微机械百叶窗窗页薄膜和柔性热控薄膜的应力控制技术,此方法适应性强,适用性广,不影响薄膜质量,对应力的控制具有其特有的优势,应用前景广阔。
申请公布号 CN101457347A 申请公布日期 2009.06.17
申请号 CN200810186291.2 申请日期 2008.12.22
申请人 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 发明人 陈学康;曹生珠;蒋钊;吴敢;杨建平;王瑞;尚凯文
分类号 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 北京理工大学专利中心 代理人 张利萍
主权项 1. 一种薄膜应力控制方法,其特征在于控制方法如下:第一步,采用磁控溅射薄膜沉积技术在厚度为13um-25um的聚合物薄膜上沉积一层厚度为50nm-100nm的锡薄膜;第二步,采用磁控溅射薄膜沉积技术在第一步完成的锡层上面再沉积一层厚150nm-300nm的铝薄膜;第三步,将第二步完成的样品放置到真空烘箱中,抽真空使真空度降低到小于0.1Pa,然后加温到100℃-300℃,保持5-30分钟,使铝和锡之间形成合金,应力控制完成。
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