发明名称 伪基板和使用该伪基板的成膜装置的启动方法、成膜条件的维持或变更方法及停止方法
摘要 一种伪基板,为应用于直列式反应性溅射装置的伪基板,其主体由在矩形金属板上形成有相似形状的开口部的矩形板状的框体构成,通过该主体,覆盖托架的与主体的接触部分。由此,即使在溅射装置运行过程中,也不会发生玻璃破裂等不良情况,能够大幅地提高伪基板的使用次数。此外,通过伪基板持续覆盖与托架的接触部分,能够防止残存于溅射成膜室内的物质,尤其是化合物薄膜堆积在该托架与基板的接触部分上,能够防止由于化合物薄膜的堆积引起的异常放电等不良情况。结果是,能够以比以前更短的时间、并且有效而低成本地进行通过溅射法形成化合物薄膜的装置的启动(开启)、该装置成膜条件的维持或变更及该装置的停止(关闭)。
申请公布号 CN101657563A 申请公布日期 2010.02.24
申请号 CN200880012357.4 申请日期 2008.04.16
申请人 株式会社爱发科 发明人 石野耕司;中村肇;松田麻也子;进藤孝明;菊地幸男
分类号 C23C14/34(2006.01)I 主分类号 C23C14/34(2006.01)I
代理机构 北京德琦知识产权代理有限公司 代理人 齐 葵;王诚华
主权项 1、一种伪基板,在下述装置中替代基板而使用,该装置为在将多个用于保持所述基板的移载单元在溅射成膜室中沿着这些基板的表面上的一个方向一列地配置,在使这些移载单元连续移动的状态或静止的状态下利用溅射法在所述基板的表面形成化合物薄膜的装置,该伪基板的特征在于,所述伪基板具有在金属构成的板状体上形成有开口部的主体部,通过该主体部至少覆盖所述移载单元的与所述主体部的接触部分。
地址 日本神奈川县