发明名称 层叠陶瓷电容器及该层叠陶瓷电容器之制造方法
摘要 本发明实现一种低介电率系之层叠陶瓷电容器,其系静电容量之温度特性良好、Q值高、而且可抑制高温负荷寿命降低之可靠性优良者。陶瓷元件1包含以CaZrO3系化合物作为主成分之主相粒子、及至少包含有Mn之二次相粒子,内部电极2以Cu作为主成分。再者,上述二次相粒子中之粒径为0.1 μm以上之粒子之中,67%以上(较佳为85%以上)包含Cu及Si。又,具有如此之二次粒子相之层叠陶瓷电容器,形成外部电极3a、3b后,可藉由于氧分压为10-85MPa以下之还原氛围下、以700℃以上之温度进行热处理而制造。
申请公布号 TWI287811 申请公布日期 2007.10.01
申请号 TW095103321 申请日期 2006.01.27
申请人 村田制作所股份有限公司 发明人 内藤正浩;井上德之
分类号 H01G4/12(2006.01);H01G4/30(2006.01);C04B35/46(2006.01) 主分类号 H01G4/12(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种层叠陶瓷电容器,其包含:陶瓷元件,其系包 含以CaZrO3系化合物作为主成分之主相粒子及至少 含有Mn之二次相粒子者;内部电极,其系以Cu作为主 成分且被埋设于该陶瓷元件中;及外部电极,其系 形成于上述陶瓷元件之两端部并与上述内部电极 之一方之端部电性连接者,其特征在于: 相对于上述陶瓷元件中上述主成分100莫耳份,Mn及 Si分别含有2莫耳份以上及0.69莫耳份以上,且上述 陶瓷元件之截面中上述二次相粒子所占面积比例 为0.1%以上;且上述二次相粒子中之粒径为0.1 m以 上之粒子当中,67%以上包含Cu及Si。 2.如请求项1之层叠陶瓷电容器,其中上述二次相粒 子中之粒径为0.1 m以上之粒子当中,85%以上包含 Cu及Si。 3.如请求项1之层叠陶瓷电容器,其中上述CaZrO3系化 合物为Ca之一部分被以Sr及Ba取代,且Zr之一部分被 以Ti取代。 4.如请求项2之层叠陶瓷电容器,其中上述CaZrO3系化 合物为Ca之一部分被以Sr及Ba取代,且Zr之一部分被 以Ti取代。 5.如请求项1至4中任一项之层叠陶瓷电容器,其中 上述CaZrO3系化合物系以通式[(Ca1-a-bSraBab)m(Zr1-cTic)O 3](其中,0≦a≦0.45,0≦b≦0.10,0≦c≦0.10,0.98≦m≦1.02 )表示之复合氧化物。 6.如请求项1至4中任一项之层叠陶瓷电容器,其中 上述陶瓷元件,包含选自Mg、Ca、Sr、Ba、Li、B、Al 及Ti之至少1种之成分。 7.一种层叠陶瓷电容器之制造方法,其特征在于:于 由CaZrO3系化合物所成之主成分,添加至少含有Mn及 Si之化合物作为副成分制作陶瓷生片,将以Cu作为 主成分之内部电极用导电性糊料涂覆于上述陶瓷 生片之表面形成导电图案,将形成有该导电图案之 陶瓷生片多片层叠形成陶瓷层叠体后,实施焙烧处 理形成陶瓷元件,于该陶瓷元件之两端部涂覆外部 电极用导电性糊料,并实施烧接处理,其后,于氧分 压为10-8.5MPa以下之还原氛围下、以700℃以上之温 度进行热处理。 8.一种层叠陶瓷电容器之制造方法,其特征在于:于 由CaZrO3系化合物所构成之主成分,添加至少含有Mn 及Si之化合物作为副成分制作陶瓷生片,将以Cu作 为主成分之内部电极用导电性糊料涂覆于上述陶 瓷生片之表面形成导电图案,将形成有该导电图案 之陶瓷生片多片层叠形成陶瓷层叠体后,于该陶瓷 层叠体之两端部涂覆外部电极用导电性糊料,随后 实施焙烧处理,其后,于氧分压为10-8.5MPa以下之还 原氛围下、以700℃以上之温度进行热处理。 图式简单说明: 图1系简单揭示关于本发明之层叠陶瓷电容器之一 实施态样之剖面图。
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