| 主权项 |
1.一种半导体零件固定治具,其特征为:在金属母材表面形成以铬氧化物为主成份之包覆层。2.如申请专利范围第1项所述之半导体零件固定治具,其中,铬氧化物为三氧化二铬(Cr2O3)。3.如申请专利范围第1项所述之半导体零件固定治具,其中,铬氧化物为平均粒径0.1-0.5m之三氧化二铬(Cr2O3)微粒子。4.如申请专利范围第1项所述之半导体零件固定治具,其中,包覆层为暗绿色。5.如申请专利范围第1项所述之半导体零件固定治具,其中,包覆层系以表面粗度为最大高度(Ramx)基准形成在5m以上的金属母材表面。6.如申请专利范围第1项所述之半导体零件固定治具,其中,在金属母材和包覆层之界面,形成铁化合物和铬氧化物之反应层。7.如申请专利范围第1项所述之半导体零件固定治具,其中,半导体零件固定治具,为用以推压固定接合半导体元件的引线架之引线推架。8.如申请专利范围第1项所述之半导体零件固定治具,其中,半导体零件固定治具,为利用吸附固定半导体元件之吸附筒。9.一种半导体零件载置用平台,其特征为,在金属母材表面形成以铬氧化物为主成份之包覆层。10.如申请专利范围第9项所述之半导体零件载置用平台,其中,铬氧化物为三氧化二铬(Cr2O3)。11.如申请专利范围第9项所述之半导体零件载置用平台,其中,铬氧化物为平均粒径0.1-0.5m之三氧化二铬(Cr2O3)微粒子。12.如申请专利范围第9项所述之半导体零件载置用平台,其中,包覆层为暗绿色。13.如申请专利范围第9项所述之半导体零件载置用平台,其中,包覆层系以表面粗度为最大高度(Ramx)基准形成在5.0m以上之金属母材表面。14.如申请专利范围第9项所述之半导体零件载置用平台,其中,在金属母材和包覆层之界面,形成铁化合物和铬氧化物之反应层。15.一种接合装置,于连接载置在半导体零件载置用平度上之半导体零件的电极和引线之接合装置中,其特征为:上述半导体零件载置用平台系在金属母材表面形成以铬氧化物为主成份之包覆层。16.如申请专利范围第15项所述之接合装置,其中,包覆层为暗绿色,同时以表面粗度为最大高度(Rmax)基准形成在5.0m以上之金属母材表面。图式简单说明:第一图系表示装配作为有关本发明之半导体零件固定治具之吸附筒的接合装置之一实施例,仅放大主要部分之模吸附部之断面图;第二图系表示作为有关本发明之半导体零件固定治具之引线推架之一实施例之立体断面图;第三图系表示有关本发明之半导体零件载置用平台之一实施例之断面图;第四图系第三图IV部之放大断面图;第五图系表示有关本发明之半导体零件载置用平台之另一实施例之断面图;第六图系表示模接合装置之构成例之立体图;第七图系表示放大第六图之吸附筒之立体图;第八图系表示放大习知模接合装置之模吸附部之断面图;第九图系概略表示接合装置的构成之俯视图;第十图系表示钢丝接合装置之接合头部之构成例之立体图。 |
