| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含:多数个第一场效电晶体,其具有一形成于半导体基材主要表面上之闸极,一汲极与一源极形成于该闸极的两侧区域,相距一第一预定间距;多数个第二场效电晶体,其具有一形成于该半导体基材主要表面上之闸极,一汲极与一源极形成于该闸极的两侧区域,相距一第一预定间距;该第一与第二场效电晶体以一较该第一预定间距更窄之第二预定间距配置,以形成一对场效电晶体;及一电性传导层,于该对场效电晶体之间的区域穿透该半导体基材之主要表面及背面,其中该形成该对场效电晶体之该第一与第二场效电晶体相互接近,使其汲极互相相反,该第一与第二场效电晶体其源极较短侧方向上的区域宽度约等于该第一与第二场效电晶体其汲极较短侧方向上的区域宽度,该第一与第二场效电晶体的所有汲极互相形成电性连接,该第一与第二场效电晶体的所有闸极互相形成电性连接,该第一与第二场效电晶体的所有源极透过该电性传导层在该半导体基材的背面互相形成电性连接。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该对场效电晶体以一较该第二预定间距更宽之预定间距配置。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中各该对场效电晶体包含一汲极接点,形成于该半导体基材之主要表面上,共同连接到该第一与第二场效电晶体各自的汲极的一端;及二源极接点,在该半导体基材的主要表面相连接,并各自连接到该第一与第二场效电晶体各自的源极的一端。4.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中更包含:多数个汲极突爪电极,形成于该半导体基材上,电性连接到该汲极接点;一汲极引线电极,共同连接到该汲极突爪电极而成栉板状;多数个闸极突爪电极,其形成该第一与第二场效电晶体的闸极;及一闸极引线电极,共同连接到该闸极突爪电极而成栉板状。5.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中更包含一闸极线路,形成于该半导体基材上,与该对场效电晶体之相邻近的该第一场效电晶体之闸极突爪电极以及该第二场效电晶体之闸极突爪电极共同连接,其中该闸极线路透过一电极突出共同连接到该闸极引线电极。6.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中成矩阵排列之该对场效电晶体形成一第一单位,一第二单位与该第一单位成直线对称排列,由成矩阵排列之该对场效电晶体所形成,该第一与第二单位之该汲极引线电极朝单位排列的方向,沿着成二矩阵排列之该对场效电晶体的外围各自形成,该第一与第二单位之该汲极引线电极在其一端互相连接,且该第一与第二单位之该闸极引线电极为共用,朝单位排列的方向,在成二矩阵排列之该对场效电晶体的中心形成。7.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中更包含:一汲极焊垫,形成于该第一与第二汲极引线电极的连接部位;及一闸极焊垫,形成于该闸极引线电极上相反于该汲极焊垫的一端。图式简单说明:第一图之图式显示依据本发明实施例之一的功率电晶体的布局;第二图系第一图中虚线区域的放大图;第三图为沿第二图中I-I直线切割所得之剖面图;第四图之剖面图显示一具有不等闸极间距的功率电晶体;第五图为沿第二图中II-II直线切割所得之剖面图;第六图为沿第二图中III-III直线切割所得之剖面图;及第七图之图式显示一习知功率电晶体的布局。 |
