首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Herstellungsverfahren für einen Feldeffekttransistor
摘要
申请公布号 DE4318688(A1) 申请公布日期 1994.02.10
申请号 DE19934318688 申请日期 1993.06.04
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 ISHIKAWA, EIICHI, ITAMI, HYOGO, JP;SAITO, TAKAYUKI, ITAMI, HYOGO, JP;WATANABE, SHINYA, ITAMI, HYOGO, JP
分类号 G03F7/09;H01L21/027;H01L21/033;H01L21/28;H01L21/306;H01L21/336;H01L21/8242;H01L29/423;H01L29/43;H01L29/49;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336;H01L21/308;G03F7/00 主分类号 G03F7/09
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com