用于长久保持记忆力的低印记铁电材料以及制作此材料的方法

摘要

一种液态前体,用于在集成电路中形成铁电金属氧化物薄膜(313),其中包含超过了化学计量平衡量的金属氧化物。当前体包括用于形成锶、铋、钽、铌酸盐的锶、铋、钽和铌时,这个前体包含过量的钽和铌中的至少一种。电容器包含分层超晶格材料的薄膜(313),此超晶格材料由包含了过量的钽和铌的前体制造,因此在75℃下经过10¹⁰个负极化转换脉冲之后,以及在125℃下经过10⁹个负极化转换脉冲之后,电容器表现出优良的极化率和低百分率印记。

主权项

1.一种制造集成电路的方法，包括提供含有用于形成铁电分层超晶格混合物的有效数量的金属成份的前体，其特征在于：所述前体包含至少一种B位元素，其相对量大于其化学计量平衡量。