| 主权项 |
1.一种半导体装置,包括: 一半导体基底,在该基底表面上有一第一区域与一第二区域;一第一场效电晶体,形成在该基底上之该第一区域中,该第一场效电晶体包含复数个第一闸极,且该些第一闸极排列成复数个列并形成一第一总闸极宽度,且由该些第一闸极分别形成一第一闸极宽度与一第一闸极长度;以及一第二场效电晶体,形成在该基底上之该第二区域中,该第二场效电晶体包含复数个第二闸极,且该些第二闸极排列成复数个列并形成一第二总闸极宽度,且该第二总闸极宽度小于该第一总闸极宽度,且由该些第二闸极分别形成一第二闸极宽度与一第二闸极长度,其中该第二闸极宽度与该第一闸极宽度相同,该第二闸极长度该第一闸极长度相同。2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中更包括:复数个第一源极垫与复数个第一闸极垫,与该些第一闸极之一端相连接,且形成在靠近该连接部分之该第一区域表面上;复数个第一汲极垫,与该些第一源极垫与该些第一闸极垫排列在相对的方向,且形成在穿过该些第一闸极之该第一区域表面上;复数个第二源极垫与复数个第二闸极垫,与该些第二闸极之一端相连接,且形成在靠近该连接部分之该第二区域表面上;以及复数个第二汲极垫,与该些第二源极垫与该些第二闸极垫排列在相对的方向,且形成在穿过该些第二闸极之该第二区域表面上。3.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中该些第一与该些第二闸极以蜂巢式排列。4.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中在该些第一源极垫中最靠近该些第二汲极垫之该第一源极垫与该些第二源极垫中最靠近该些第一汲极垫之该第二源极垫以电性连接。5.如申请专利范围第4项所述之半导体装置,其中在该电性连接部分形成一遮蔽图案。6.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中该些第一与该些第二闸极以蜂巢式排列。图式简单说明:第一图依照本发明第一较佳实施例,一种半导体装置;第二图依照本发明第二较佳实施例,一种半导体装置;第三图依照本发明第三较佳实施例,一种半导体装置;以及第四图a-第四图b是习知功率场效电晶体的平面示意图。 |
