用于碳化硅的受控生长的方法以及由其产生的结构

摘要

公开了用于碳化硅的受控生长的方法以及通过所述方法生产的结构。可通过将牺牲基底（104）放置在具有源材料（102）的生长区中而生长碳化硅（SiC）晶体。源材料（102）可包括低溶解度的杂质。随后在牺牲基底（104）上生长SiC以调节源材料（102）。随后用最终基底（120）替换牺牲基底（104），并且在最终基底（120）上生长SiC。产生碳化硅的单晶体，其中所述碳化硅晶体具有显著少的微管缺陷。这种晶体也可以包括基本均匀浓度的低溶解度杂质，并且可以用来制造晶片（200、300）和/或SiC芯片（202、302）。

主权项

一种生长碳化硅的晶体的方法，所述方法包括将牺牲基底放置在具有源材料的生长区中，所述源材料包括低溶解度杂质，所述低溶解度杂质选自周期律IB族、IIB族、IIIB族、IVB族、VB族、VIB族、VIIB族、VIIIB族和IIIA族；使用所述包括低溶解度杂质的源材料的物理气相传输，在所述牺牲基底上生长碳化硅的牺牲层，直到至少经过下述点：碳化硅牺牲层中的所述低溶解度杂质的析出在此处基本上终止；对源材料进行调节使得所述源材料发展且变为化学计量平衡；抛弃所述牺牲基底并用最终基底替代；以及使用至少所述源材料在所述最终基底上生长碳化硅的晶体。