| 主权项 |
1.一种应用于半导体晶圆上之化学机械研磨制程之对准方法,该晶圆上具有对准标记做为对准程序之参考指标,该方法至少包含:利用第一光罩形成第一导电层于该晶圆之上,该第一导电层具有第一导电部份以及第二导电部份,第一导电部份形成于该对准标记图案之上,该第二导电部份形成于该第一导电部份之侧;利用第二光罩去除该第二导电部份;形成第一介电层于该晶圆之上、该第一导电层之上;利用该第二光罩去除形成于该第一导电部份上之该第一介电层;以该第一光罩形成第二导电层于该第一导电部份上以及该第一介电层之上,该第二导电层具有第三导电部份以及第四导电部份,该第三导电部份形成于该第一导电部份之上,该第四导电部份形成于该第一介电层之上;利用该第二光罩去除该第四导电部份;形成第二介电层于该第一介电层、该第二导电层之上;利用该第二光罩去除形成于该第三导电部份上之该第二介电层;以该第一光罩形成第三导电层于该第三导电部份以及该第二介电层之上,该第三导电层具有第五导电部份以及第六导电部份,该第五导电部份形成于该第三导电部份之上,该第六导电部份形成于该第二介电层之上;及利用该第二光罩去除该第六导电部份。2.如申请专利范围第1项之方法,更包含:形成第三介电层于该第二介电层、该第五导电部份之上;及利用该第二光罩去除形成于该第三导电层上之该第三介电层。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一光罩为R29。4.如申请专利范围第3项之方法,其中上述之第一光罩具有两个黑暗区域分别对应定义该第一导电部份与该第二导电部份。5.如申请专利范围第3项之方法,其中上述之第一光罩具有两个黑暗区域分别对应定义该第三导电部份与该第四导电部份。6.如申请专利范围第3项之方法,其中上述之第一光罩具有两个黑暗区域分别对应定义该第五导电部份与该第六导电部份。7.如申请专利范围第2项之方法,其中上述之第一光罩为R29。8.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之第一光罩具有两个黑暗区域分别对应定义该第一导电部份与该第二导电部份。9.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之第一光罩具有两个黑暗区域分别对应定义该第三导电部份与该第四导电部份。10.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之第一光罩具有两个黑暗区域分别对应定义该第五导电部份与该第六导电部份。11.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二光罩为使用于WCW制程。12.如申请专利范围第2项之方法,其中上述之第二光罩为使用于WCW制程。13.如申请专利范围第1项之对准方法,其中形成上述之第一介电层之后更包含施以平坦化制程。14.如申请专利范围第13项之对准方法,其中上述之平坦化制程为利用化学机械研磨制程。15.如申请专利范围第1项之对准方法,其中形成上述之第二介电层之后更包含施以平坦化制程。16.如申请专利范围第15项之对准方法,其中上述之平坦化制程为利用化学机械研磨制程。17.如申请专利范围第2项之对准方法,其中形成上述之第三介电层之后更包含施以平坦化制程。18.如申请专利范围第17项之对准方法,其中上述之平坦化制程为利用化学机械研磨制程。图式简单说明:第一图a为晶圆之俯视图。第一图b为R29之俯视图。第二图为传统方法形成第一导电层及第一介电层于对准标记图案上之截面图。第三图为传统方法对介电层施以化学机械研磨制程之截面图。第四图为传统方法去除对准标记图案上之介电层之截面图。第五图为传统形成第二导电层、第二介电层以及去除形成于对准标记图案上之介电层之截面图。第六图为传统形成第三介电层后施以化学机械研磨之截面图。第七图为本发明形成第一导电层于对准标记图案上之截面图。第八图为本发明以WCW去除未在对准标记图案上之第一导电层截面图。第九图为本发明形成第一介电层以及对介电层施以化学机械研磨制程之截面图。第十图为本发明去除形成于对准标记图案上之截面图。第十一图为本发明形成第二导电层之截面图。第十二图为本发明去除部份之第二导电层、形成第二介电层以及去除部份第二介电层之截面图。第十三图为本发明形成第三导电层、第三介电层以及去除部份第三介电层之截面图。 |
