一种小功率晶闸管的结构及其制造工艺

摘要

本发明是关于一种小功率晶闸管的结构及其制造工艺,其特征是用N型硅片,采用新型涂源、深硼预扩和深硼再扩等平面工艺。使该管芯片上的长基区宽度及隔离墙深度增加,从而提高了该产品性能,均匀性好,该工艺简单,产品合格率高,可免中测,成本最低,生产效率高,适合规模化生产,同时该工艺具有通用性,可延伸用于制造二次击穿耐压高、功率大、频率高的PNP晶体管,还可制造同类结构的半导体温敏传感器等。

主权项

1．一种小功率晶闸管的结构，主要由外壳、芯片及引出线几部分组成，其特征在于芯片结构：该芯片的长基区宽度由硅单晶原始材料的厚度决定，当原始材料厚度为240～260μm时，长基区宽度为80～100μm；该芯片纵向结构部分所需的斜角和钝化保护区域是利用深硼扩散工艺形成的P-N结隔离墙形成，其隔离墙深度为90～130μm。