发明名称 METHOD FOR FORMING INSULATING TRENCH IN SUBSTRATE FOR SMART POWER CHIP
摘要
申请公布号 JPH0799241(A) 申请公布日期 1995.04.11
申请号 JP19940160625 申请日期 1994.06.20
申请人 SIEMENS AG 发明人 UDO SHIYUWARUKE
分类号 H01L21/225;H01L21/76;H01L21/762;H01L27/12;(IPC1-7):H01L21/762 主分类号 H01L21/225
代理机构 代理人
主权项
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