发明名称 | 各向异性导电膜及利用其的半导体装置 | ||
摘要 | 本发明涉及一种各向异性导电膜及用其连接的半导体装置,其通过调节在电极间的电极部压接的导电粒子密度及空间部的导电粒子密度,而能够防止短路,并提高成本节约效果及连接特性。 | ||
申请公布号 | CN105706183A | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
申请号 | CN201480059674.7 | 申请日期 | 2014.10.24 |
申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 黃慈英;金智软;朴憬修;郑光珍 |
分类号 | H01B5/14(2006.01)I | 主分类号 | H01B5/14(2006.01)I |
代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 朴圣洁;王珍仙 |
主权项 | 一种半导体装置,其特征在于,电极部导电粒子密度X与空间部导电粒子密度Y的比率X:Y是1:1至1:10,上述X是指将各向异性导电膜布置在包括第一电极的玻璃基板与包括第二电极的覆晶薄膜、集成电路驱动芯片或集成电路芯片中任意一个之间,并在50℃至90℃、1秒至5秒、1.0MPa至5.0MPa的条件下预压接后,在170℃至190℃、5秒至7秒、60MPa至80MPa条件下正式压接后检测的在上述第一电极与上述第二电极之间压接的导电粒子的密度,上述Y是指经上述预压接及正式压接后检测的在空间部存在的导电粒子的密度。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |