| 摘要 |
Vorrichtung, umfassend eine Transistoranordnung, wobei die Vorrichtung enthält: eine erste Leiterschicht auf einem ersten Niveau, die eine Mehrzahl erster Leiter definiert, die entweder Source- oder Gate-Elektroden für die Transistoranordnung bilden; eine zweite Leiterschicht auf einem zweiten Niveau, die eine Mehrzahl zweiter Leiter definiert, die das jeweils andere von Source- oder Gate-Elektroden für die Transistoranordnung bilden, wobei die zweite Leiterschicht ferner Führungsleiter an einer Stelle oder mehreren Stellen zwischen den zweiten Leitern definiert, wobei jeder Führungsleiter durch eine Zwischenschichtleiterverbindung oder mehrere Zwischenschichtleiterverbindungen mit einem jeweiligen ersten Leiter verbunden ist. |
