发明名称 多峰共振穿透二极体的大信号模拟电路
摘要 本创作为一多峰共振穿透二极体(RTD)的大信号模拟电路,其适合以SPICE做RTD的应用电路,尤其是多值记忆器的模拟分析。本电路系以RTDI-V特性曲线上电压电流的测量值,并应用片断线性近似(PWL)技术而发展成一适用于SPICE的模拟电路,进而可模拟多峰RTD的I-V特性曲线及RTD应用电路。由于本电路系利用简单电路原理(克希荷夫电压电流定律)求得,故所求得之电路结构简易,而SPICE的模拟程式亦相对简短,进而对相当复杂RTD应用电路的模拟分析,将可因电路简化而减少模拟时的程式收歛问题。
申请公布号 TW394453 申请公布日期 2000.06.11
申请号 TW085204186 申请日期 1994.12.08
申请人 行政院国家科学委员会 台北巿和平东路二段一○六号十八楼 发明人 黄智源
分类号 H01L29/90 主分类号 H01L29/90
代理机构 代理人 洪澄文 台北巿信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种多峰共振穿透二极体的大信号模拟电路,适用于依据具有起点及终点之多峰共振穿透二极体的I-V特性曲线来制作其大信号模拟电路,且上述I-V特性曲线上之起点与终点之间前后依序取至少二断点,同时上述起点、断点以及终点中之相邻两点连成直线段,而使上述断点各具有前直线段及后直线段,又上述多峰共振穿透二极体的大信号模拟电路包括:寄生电阻、与上述寄生电阻串联的寄生电容以及与上述寄生电容并联的电压控制电流源;其特征在于:上述电压控制电流源包括:至少一第一分路,包含:具有电阻値R1的第一电阻、正极端连接至上述第一电之一端的第一二极体以及正极端连接至上述第一二极体之负极端的具有电压値V1的第一电压源,且R1=1/(M12-M11),而M12>M11,其中,V1为上述断点中之一断点的电压値、M11为其前直线段的斜率以及M12为其后直线段的斜率;至少一第二分路,包含:一端连接至上述第一电阻之另一端之具有电阻値R2的第二电阻、负极端连接至上述第二电阻的另一端的第二二极体以及正极端连接至上述第二二极体之正极端而负极端连接至上述第一电压源的负极端的具有电压値V2的第二电压源,且R2=1(M21-M22),而M21>M22,其中,V2为上述断点中之另一断点的电压値、M21为其前直线段的斜率以及M22为其后直线段的斜率;以及一第三分路,包括:一端连接至上述第一电阻之另一端之具有电阻値R3的第三电阻以及正极端连接至上述第三电阻的另一端而负极端连接至上述第一电压源的负极端的具有电压値V3的第三电压源,其中,上述R3及V3系依据上述I-V特性曲线并藉由克希荷夫定律而求得者。2.如申请专利范围第1项所述之多峰共振穿透二极体的大信号模拟电路,其中,更包括由输入扫描电压及输入电阻所界定的输入区域,同时上述第一、第二及第三分路并联有电压控制电压源与虚拟电压源的串联电路,以构成作用区域,而上述电压控制电压源的电压大小等于上述输入扫描电压,且上述虚拟电压源用以测量上述共振穿透二极体等效电流値。3.如申请专利范围第2项所述之多峰共振穿透二极体的大信号模拟电路,其中,更包括由一电流控制之输出电源及输出电阻所界定的输出区域,且上述输出电流源的电流値为上述共振穿透二极体等效电流値。4.如申请专利范围第2项或第3项所述之多峰共振穿透二极体的大信号模拟电路,其中,上述输入电阻及输出电阻为1M。图式简单说明:第一图系显示双峰共振穿透二极体的I-V特性曲线图;第二图系显示本创作之多峰共振穿透二极体的大信号模拟电路;以及第三图系显示依据第一图之I-V特性曲线所求得的双峰共振穿透二极体的大信号模拟电路。
地址 台北巿和平东路二段一○