| 主权项 |
1.一种分离闸极快闪记忆单元的抹除方法,适用于具有源极、汲极、漂浮闸极、控制闸极及选择闸极的快闪记忆单元,包括下列步骤:(i)首先对控制闸极加上一负电压,并对汲极加上一正电压,以在汲极与控制闸极间形成一正向电场,使得漂浮闸极中的电子受电场作用经由Fowler-Nordheim隧穿效应而放电,藉以抹除前述分离闸极快闪记忆单元的规划;(ii)在源极端加上一正电压,减小汲极与源极间的电压差,避免电洞受到电场加速而形成为热电洞,并累积于氧化层中,藉以增加前述分离闸极快闪记忆单元的重写周期。2.如申请专利范围第1项的分离闸极快闪记忆单元的抹除方法,其中,加在前述控制闸极上的负电压为-12V,加在前述汲极上的正电压5V,而加在前述源极上的电压为0.5V-Vcc。3.如申请专利范围第1项的分离闸极快闪记忆单元的抹除方法,其中,前述的分离闸极快闪记忆单元系利用源极端进行规划,而利用汲极端进行抹除。4.一种分离闸极快闪记忆单元的抹除方法,适用于具有源极、汲极、漂浮闸极、控制闸极及选择闸极的快闪记忆单元,包括下列步骤:首先对控制闸极加上一负电压,并对汲极加上一正电压,以在汲极与控制闸极间形成一正向电场,使得漂浮闸极中的电子受电场作用经由Fowler-Nordheim隧穿效应而放电,藉以抹除前述分离闸极快闪记忆单元的规划;其特征在于当进行抹除时,在前述分离闸极快闪记忆单元的源极端加上一正电压,减小汲极与源极间的电压差,避免电洞受到电场加速而形成为热电洞,并累积于氧化层中,藉以增加前述分离闸极快闪记忆单元的重写周期。5.如申请专利范围第4项的分离闸极快闪记忆单元的抹除方法,其中,加在前述控制闸极上的负电压为-12V,加在前述汲极上的正电压5V,而加在前述源极上的电压为0.5V-Vcc。图式简单说明:第一图系绘示在先前技术中快闪记忆单元进行抹除操作的示意图;第二图系绘示在先前技术中快闪记忆单元进行规划操作的示意图;第三图系绘示在本发明中快闪记忆单元进行抹除操作的示意图。 |
