| 发明名称 | 低kCVD材料的梯度沉积 | ||
| 摘要 | 一种用于半导体器件的介质层(12)，具有低的整体介电常数，与半导体衬底的良好粘附性以及对由热循环引起的破裂的良好抵抗性。介质层(12)由包括连续变化的介质材料沉积条件的方法制造以提供具有介电常数梯度的介质层。 | ||
| 申请公布号 | CN1906764A | 申请公布日期 | 2007.01.31 |
| 申请号 | CN200480040507.4 | 申请日期 | 2004.01.14 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | M·翁焦尔;H·希什里;李加;D·麦克赫伦;H·A·奈三世 |
| 分类号 | H01L29/00(2006.01) | 主分类号 | H01L29/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;刘瑞东 |
| 主权项 | 1.一种介质层(12)，位于衬底(16)的表面(14)上，所述介质层具有顶表面(18)，其中所述介质层包括第一介质梯度区域(26，44)，其中介电常数k随着与所述衬底表面的距离从最大值连续减小到最小值。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||