发明名称 |
太阳能电池的制造方法 |
摘要 |
太阳能电池的制造方法,所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构,其特征在于,其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序:把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。 |
申请公布号 |
CN100585882C |
申请公布日期 |
2010.01.27 |
申请号 |
CN200510091746.9 |
申请日期 |
2000.03.29 |
申请人 |
精工爱普生株式会社;JSR株式会社 |
发明人 |
古泽昌宏;关俊一;宫下悟;下田达也;汤田坂一夫;松木安生;竹内安正 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
郭 煜;邹雪梅 |
主权项 |
1、太阳能电池的制造方法,为在基板上层压下部电极、半导体层压膜、上部电极而成的太阳能电池的制造方法,其特征在于,具有:在上述基板上形成上述下部电极的工序,在上述下部电极上形成半导体层压膜的工序,在上述半导体层压膜上涂布含有金属的液体材料形成含金属涂布膜的工序,和对上述含金属涂布膜进行热处理形成上述上部电极的工序;形成上述半导体层压膜的工序具有:在上述下部电极上涂布至少含有硅化合物的液体材料形成含硅化合物涂布膜的工序,和对上述含硅化合物涂布膜进行热处理或光处理的至少一种的工序。 |
地址 |
日本东京都 |