发明名称 |
DISPOSITIF ET PROCEDE DE CRISTALLOGENESE |
摘要 |
La matière du cristal (2) formé par solidification est déposée dans un creuset (1) dont la paroi est percée par deux conduits d'injection de pression à des hauteurs différentes (6, 7). Une pression différentielle est créée entre les deux conduits, la pression du conduit inférieur (7) étant plus forte d'une valeur à peu près égale à la pression hydrostatique du liquide (3) subsistant, afin qu'un jeu (5) se forme spontanément entre le cristal (2) et le creuset (1) et que les problèmes provenant des contractions thermiques différentielles au refroidissement soient évités. |
申请公布号 |
FR2757184(A1) |
申请公布日期 |
1998.06.19 |
申请号 |
FR19960015280 |
申请日期 |
1996.12.12 |
申请人 |
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE |
发明人 |
DUFFAR THIERRY;ABADIE JACQUES;DUSSERRE PIERRE |
分类号 |
C30B11/00;(IPC1-7):C30B35/00 |
主分类号 |
C30B11/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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