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<p>Un dispositivo semiconductor que tiene una memoria permanente, que comprende un cuerpo semiconductor que tiene una región superficial adjunta a una superficie de principalmente un primer tipo de conductividad en la que hay dispuestas un número de zonas superficiales de forma de tira, yuxtapuestas y paralelas, del segundo tipo de conductividad, estando cubierta la superficie con una capa aislante sobre la que hay dispuestas un número de pistas conductoras yuxtapuestas, paralelas y de forma de tira, que cruzan las zonas superficiales de forma de tira, donde dependiendo de la información almacenada en la memoria, las pistas conductoras en el área de los cruces puede conectarse con las zonas de forma de tira por medio de una unión rectificadora a a través de ventanas dispuestas en la capa aislante.</p> |
