| 发明名称 | 用于形成氧化物膜的方法和设备 | ||
| 摘要 | 一种氧化物膜形成设备，其包括反应器10，其中装有用于容纳基材100的加热器单元14；管道11，其上装有用于将含有机硅或有机金属的原料气体引入到反应器内的原料气体引入阀V1；管道12，其上装有用于将含臭氧气体引入到反应器10内的含臭氧气体引入阀V2；和管道13，其上装有用于将气体从反应器10中排出的排气阀13。当原料气体引入阀V1、含臭氧气体引入阀V2和排气阀V3进行打开－关闭操作，以交替地将原料气体和含臭氧气体供应到反应器10中时，含臭氧气体引入阀V2促使含臭氧气体的臭氧浓度下降到0.1体积％到100体积％范围内，并且加热器单元将基材的温度调节到室温到400℃的范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN101002308A | 申请公布日期 | 2007.07.18 |
| 申请号 | CN200580027119.7 | 申请日期 | 2005.08.01 |
| 申请人 | 株式会社明电舍;独立行政法人产业技术综合研究所 | 发明人 | 西口哲也;一村信吾;野中秀彦;森川良树;野寄刚示;花仓满 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);C23C16/40(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 任宗华 |
| 主权项 | 1.一种形成氧化物膜的方法，所述方法包括：交替地向基材供应包含具有Si(硅)-O(氧)键或Si(硅)-C(碳)键的有机硅或具有金属元素-氧键或金属元素-碳键的有机金属的原料气体和含臭氧气体，以在基材的表面上形成氧化物膜；调节基材温度到室温至400℃的范围内；和调节含臭氧气体的臭氧浓度到0.1体积％至100体积％的范围内。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||