| 主权项 |
1.一种气体放电面板之制造方法,该面板具有一介置在一对以一密封层相互密封之基片间之放电空间,该方法依序包括之步骤为:在至少一基片上形成呈一框架形状之密封层,并藉密封层将该基片堆叠至另一基片上之第一步骤;藉由抽空空间及密封层范围内而降低该对基片间存在空间中之压力,同时密封层系藉由加热被熔化之第二步骤;固化密封层俾固定该对基片以及形成一预定放电空间之第三步骤;除去放电空间内之杂质的第四步骤;以及将一放电气体填充至放电空间中之第五步骤。2.如申请专利范围第1项所述之气体放电面板之制造方法,其中在第二步骤中空间之抽空系于密封层到达其一预定熔化温度时开始,且密封层藉由在空间内保持一预定低压而受推压俾在该对基片间界定一间隙。3.如申请专利范围第1项所述之气体放电面板之制造方法,其中一降低在基片间之一空间之压力的抽空程序与一熔化该密封层之加热程序系同时开始。4.如申请专利范围第1至第3项中任一项所述之气体放电面板之制造方法,其中在第二步骤中系提供一分隔壁以在至少一基片上界定该放电空间俾使得该分隔壁于该对基片推压密封层时界定空间之该一间隙。5.如申请专利范围第1至3项中任一项所述之气体放电面板之制造方法,其中一不连续阻挡壁事先被提供于密封层内部之四周俾,防止熔化之密封层向内侵入。6.如申请专利范围第4项中所述之气体放电面板之制造方法,其中一不连续阻挡壁事先被提供于密封层内部之四周俾,防止熔化之密封层向内侵入。7.如申请专利范围第1至3项中任一项所述之气体放电面板之制造方法,其中于该第一步骤中该框架形状之密封层系由其多数框架在该一基片上形成;且该步骤2至5对该等框架以及多数以该等框架形成之空间实施。8.如申请专利范围第4项中所述之气体放电面板之制造方法,其中于该第一步骤中该框架形状之密封层系由其多数框架在该一基片上形成;且该步骤2至5对该等框架以及多数以该等框架形成之空间实施。9.如申请专利范围第7项所述之气体放电面板之制造方法,其中由该密封层框架所形成之该等空间系在相邻之该等空间部分聚集的四周设有一通孔;因此该抽空以及该放电气体填充程序系经由一共同连接至每一通孔之管完成。10.如申请专利范围第8项所述之气体放电面板之制造方法,其中由该密封层框架所形成之该等空间系在相邻之该等空间部分聚集的四周设有一通孔;因此该抽空以及该放电气体填充程序系经由一共同连接至每一通孔之管完成。11.如申请专利范围第1至3项中任一项所述之气体放电面板之制造方法,其中于该第一步骤中该对基片之周围部分系以暂时性固定夹束紧。12.如申请专利范围第4项所述之气体放电面板之制造方法,其中于该第一步骤中该对基片之周围部分系以暂时性固定夹束紧。13.如申请专利范围第7项所述之气体放电面板之制造方法,其中于该第一步骤中该对基片之周围部分系以暂时性固定夹束紧。14.如申请专利范围第8项所述之气体放电面板之制造方法,其中于该第一步骤中该对基片之周围部分系以暂时性固定夹束紧。15.如申请专利范围第9项所述之气体放电面板之制造方法,其中于该第一步骤中该对基片之周围部分系以暂时性固定夹束紧。16.如申请专利范围第10项中所述之气体放电面板之制造方法,其中于该第一步骤中该对基片之周围部分系以暂时性固定夹束紧。17.一种气体放电面板之制造方法,该面板具有一在一对由密封层相互密封之基片间之放电空间,该方法依序包括之步骤为:一第一步骤为在一基片相对另一基片之表面上形成多数各别呈框架形状密封层,且将该基片经由多数密封层堆垒至另一基片上,其中每一基片系由在由多数切割线所界定之各个领域内组成面板之部分所形成,且由密封层所形成之各形状系被形成为包围一对应之领域;一第二步骤为降低在多数形成于成对基片间之空间内由于多数密封层存在而压覆于该对基片表面上所产生的压力,且在多数密封层藉由加热而熔化时固定该对基片之间的一间隙;一第三步骤为一旦多数密封层被熔化时即使之固化,俾固定该对基片以及在该对基片间形成放电空间;一第四步骤为除去放电空间内中之杂质;一第五步骤为将一放电气体填充至放电空间内;以及一第六步骤为沿切割线将该对基片切割成多数较小之基片以形成多数较小之放电面板。18.如申请专利范围第17项所述之气体放电面板之制造方法,其中每一由该密封层框架所形成之空间系在一部分上设有一导管,该等部分各系在四周且在相邻空间会合处,以使得该抽空与该放电气体填充程序经由一共同连接至该导管之管实施。19.一种气体放电面板之制造方法,该面板设有一密封之彼此相对基片,该等基片在其一内表面上具有多数电极俾造成一对相邻电极之放电,且另一基片在其内表面上具有多种颜色之萤光材料以藉放电受激而发射萤光,以及多数以预定型式形成之分隔壁以将该等萤光材料分开,该方法包括一项步骤:一密封该对基片之步骤,其中该步骤包括一在另一基片周围形成一高于该分隔壁之密封层之第一程序,一抽空该对彼此相对之基片间之间隙直至该密封层开始熔化为止的第二程序,以及依次加热该密封层直到该密封层熔化,而藉该抽空使间隙保持在低压第三步骤。20.一种气体放电面板之制造方法,该面板具有一对周围被密封之基片,该对基片具有多数在各基片上之电极且经由其间之一预定放电空间彼此相对,该方法包括之步骤为:经由一密封玻璃层与基片间之漏泄间隙在炉内部空间保持在预定温度下抽空该放电空间之一第一步骤,其中该密封玻璃层形在一基片之周围上形成,该被保持一预定间隔之各基片对系容纳在一真空加热炉内;在炉内部的温度上升至该密封玻璃层之熔化温度时,于经由一连接至一先设置在另一基片之一部分上之通孔的导管,降低该对基片间对立空间中之压力期间,密封该对基片之一第二步骤。21.如申请专利范围第20项所述之气体放电面板之制造方法,其中该对基片周围之压力至少在熔化该密封玻璃层之前,该降低基片对周围压力程序中被升高一次。22.如申请专利范围第20项所述之气体放电面板之制造方法,其中该降低压力经由一连接至导管之密封压头。23.一种气体放电面板之制造方法,该面板具有一密封层和多数分隔壁俾在一基片中至少一基片上维持一放电空间,且该对基片系由密封层密封,该方法包括之步骤为:在至少一基片上形成一框架形状密封层,且使该基片堆叠至另一基片上之一第一步骤;在一设置于基片中至少一者之上之通孔四周配置一成形玻璃粉之一第二步骤;加热该对基片,俾藉加热提高该对基片温度,且抽空一气体且降低该对基片周围之压力,俾除去基片间之空间内的一杂质之一第三步骤;熔化该密封层之一第四步骤;形成一高度由使密封层变形而由分隔壁决定之该放电空间的一第五步骤;冷却基片俾固化密封层之一第六步骤;以放电气体填充该空间之一第七步骤;密封用来将放电气体填充至放电空间中之通孔之一第八步骤。24.如申请专利范围第23项所述之气体放电面板之制造方法,其中在第一步骤中密封层之高度被形成为高于分隔壁之高度,束紧并固定该对基片用的夹子被设置俾压住经由自第一至第五步骤之各步骤形成之分隔壁以及放电空间区域四周范围内的部分,该第一至第五步骤系在密封层以一由于基片弯曲所致之力而被施加时完成。25.如申请专利范围第23项所述之气体放电面板之制造方法,其中在第五步骤中因该对基片对周围之压力被维持高于放电空间中之压力附近之压力,而由该对基片周围之外部造成一朝向放电空间之力。26.如申请专利范围第23项所述之气体放电面板之制造方法,其中在第五步骤中系封闭一导管中从放电空间到成对基片外部之一部分,俾在放电空间内之压力与成对基片外部之压力间提供一均一压力差。27.如申请专利范围第23项所述之气体放电面板之制造方法,其中在第三步骤中成对基片外部周围之抽空系于密封层到达一脱气变得活化之温度附近时开始,且于密封层黏着至基片时终止。28.如申请专利范围第23项所述之一气体放电面板制造方法,其中一导管被连接至通孔,且一可经由导管抽空放电空间之密封压头被连接至导管,且抽空放电空间系在密封层黏着至基片后,经由该导管以及密封压头完成。29.如申请专利范围第23项所述之气体放电面板之制造方法,其中在第四步骤中于该对基片周围之压力被提升至一存在于一密封层内之气泡不会成长加大的压力程度。30.如申请专利范围第28项所述之气体放电面板之制造方法,其中在该对基片之压力上升至至一存在于一密封层内之气泡不会成长加入的压力程度之后。31.如申请专利范围第23项所述之气体放电面板之制造方法,其中在第四步骤中密封层系在一低于软化密封层开始之温度下熔化,俾防止密封层内之一气泡长大。32.如申请专利范围第23项所述之气体放电面板之制造方法,其中一导管被连接至通孔,且一可用来抽空放电空间之密封压头在密封层固化,且冷却之后被连接至导管以将一放电气体导入至放电空间。33.如申请专利范围第28项所述之气体放电面板之制造方法,其中具有一加热器以加热导管之密封压头,再将放电气体经由导管导入至放电空间后,藉加热熔化一部分之导管俾密封放电空间。34.如申请专利范围第33项所述之气体放电面板之制造方法,其中在该对基片或被熔化之导管部分周围的压力于导管之该部分被熔化时被提升至一高于放电空间压力之压力。图式简单说明:第一图为一简略绘示本发明经过时间之基本处理循环图;第二图A概略绘示在本发明一密封步骤时之PDP横截面;第二图B概略绘示在本发明一密封步骤时之一PDP平面图;第三图A概略绘示在本发明第一较佳实施例中将基片相互堆叠时一PDP之横截面;第三图B概略绘示将基片截叠在一超时如第三图A所示之一PDP的横截面;第三图C概略绘示在将如第三图A所示之一对基片密封后一PDP之横截面;第四图概略绘示在本发明第一较佳实施例中之一后玻璃基片透视图;第五图概略绘示本发明第一较佳实施例中一密封程序之处理循环之温度分布和压力分布;第六图概略绘示在本发明第一较佳实施例中之一修改后玻璃板的平面图;第七图A概略绘示本发明一第二较佳实施例中一PDP之平面图;第七图B概略绘示如第七图A中所示之PDP横截面图;第八图A概略绘示本发明一第三较佳实施例中之PDP之平面图;第八图B概略绘示如第八图A中所示之PDP之横截面;第九图概略绘示本发明第四较佳实施例之密封程序的处理循环中的温度分布及压力分布;第十图概略绘示本发明一第五较佳实施例之密封程序中之一PDP的横截面;第十一图概要绘示第十图中所示之PDP的横截面;第十二图概略绘示本发明第五较佳实施例中之一密封程序处理循环中之温度分布;第十三图概略绘示本发明一第六较佳实施例之密封程序中之一PDP横截面;第十四图概略绘示第六实施例中之密封程序之处理循环的温度分布;第十五图概略绘示本发明一第七较佳实施例之密封程序中一PDP之横截面;第十六图概略绘示在本发明第七较佳实施例之密封程序中之处理循环中的温度分布;第十七图概略绘示第六较佳实施例中所使用之一密封压头的透视图;第十八图概略绘示第十七图中所示之密封压头之操作;第十九图概略绘示在一习知技艺中部分切割一PDP之透视图;第二十图A概略绘示习知技艺中一PDP之横截面图;第二十图B概略绘示第二十图A中所示之PDP之一平面图;以及第二十一图概略绘示如第二十图A和第二十图B中所示习知技术之一密封序的处理循环中之温度分布。 |
